Berriak

Industria Berriak

Zein mehea izan daiteke TAIKO prozesuak silizioko ogiak?04 2024-09

Zein mehea izan daiteke TAIKO prozesuak silizioko ogiak?

Taiko prozesua silizioko ogiak bere printzipioak, abantaila teknikoak eta prozesuaren jatorriak erabiliz.
8 hazbeteko sic labe epituxial eta homoepitaxial prozesuen ikerketa29 2024-08

8 hazbeteko sic labe epituxial eta homoepitaxial prozesuen ikerketa

8 hazbeteko sic labe epituxial eta homoepitaxial prozesuen ikerketa
Substratu erdieroaleen oblea: Silizioaren, GaAs, SiC eta GaN-en materialaren propietateak28 2024-08

Substratu erdieroaleen oblea: Silizioaren, GaAs, SiC eta GaN-en materialaren propietateak

Artikuluak silizioa, GaAs, SiC eta GaN bezalako substratu erdieroaleen obleen material propietateak aztertzen ditu.
X
Cookieak erabiltzen ditugu nabigazio esperientzia hobea eskaintzeko, guneko trafikoa aztertzeko eta edukia pertsonalizatzeko. Gune hau erabiltzean, gure cookieen erabilera onartzen duzu.Pribatutasun politika
BaztertuOnartu