Grafito porotsua

SiC substratu ekoizleek normalean grafitozko zilindro porotsu batekin arragoa diseinua erabiltzen dute eremu beroko prozesurako. Diseinu honek lurruntze-eremua eta karga-bolumena handitzen ditu. Prozesu berri bat garatu da kristalen akatsei aurre egiteko, masa-transferentzia egonkortzeko eta SiC kristalaren kalitatea hobetzeko. Hazirik gabeko kristalezko erretilua finkatzeko metodo bat barne hartzen du hedapen termikorako eta estresa arintzeko. Hala ere, arragoa grafitoaren eta grafito porotsuaren merkatu-eskaintza mugatuak erronkak dakartza SiC kristal bakarren kalitateari eta etekinari.

VeTek Semiconductor grafito porotsuaren ezaugarri nagusiak:

1.Tenperatura altuko ingurunearen tolerantzia - Produktuak 2500 gradu Celsius-eko ingurunea jasan dezake, beroarekiko erresistentzia bikaina erakutsiz.

2.Porositate kontrol zorrotza - VeTek Semiconductor-ek porositatearen kontrol estua mantentzen du, errendimendu koherentea bermatuz.

3.Araztasun oso altua - Erabilitako grafitozko material porotsuak garbitasun maila altua lortzen du arazketa prozesu zorrotzen bidez.

4.Azaleko partikulak lotzeko gaitasun bikaina - VeTek Semiconductor-ek gainazaleko partikulak lotzeko gaitasun bikaina eta hautsaren atxikimenduarekiko erresistentzia du.

5.Gas garraioa, difusioa eta uniformitatea - Grafitoaren egitura porotsuak gasen garraio eta difusio eraginkorrak errazten ditu, eta ondorioz, gasen eta partikulen uniformetasuna hobetzen da.

6.Kalitate kontrola eta egonkortasuna - VeTek Semiconductor-ek garbitasun handia, ezpurutasun-eduki txikia eta egonkortasun kimikoa azpimarratzen ditu kristalen hazkundean kalitatea bermatzeko.

7.Tenperaturaren kontrola eta uniformetasuna - Grafito porotsuaren eroankortasun termikoak tenperatura banaketa uniformea ​​ahalbidetzen du, hazkuntzan estresa eta akatsak murrizten ditu.

8.Solutuen difusioa eta hazkunde-tasa hobetua - Egitura porotsuak solutuen banaketa uniformea ​​sustatzen du, kristalen hazkunde-tasa eta uniformetasuna hobetuz.