RTA/RTP Prozesua

VeTek Semiconductor-ek RTA/RTP Prozesuko obleen eramailea eskaintzen du, purutasun handiko grafitoz eta SiC estalduraz egina.ezpurutasuna 5 ppm-tik behera.

Errekuzitu azkarreko labe materiala errekuzitzeko tratamendurako ekipamendu mota bat da etaRTA/RTP Prozesua, materialaren berotze eta hozte prozesua kontrolatuz, materialaren egitura kristalinoa hobetu dezake, barneko estresa murrizten du eta materialaren propietate mekaniko eta fisikoak hobetu ditzake. Errekuzitu azkarreko labearen ganberako osagai nagusietako bat obleen garraiatzailea da/ostia hargailuaobleak kargatzeko. Prozesu-ganberan ostia-berogailu gisa, hauplaka eramaileaBerotze azkarrean eta tenperatura berdintze tratamenduan zeregin garrantzitsua du.

Silizio-karburoa, aluminio-nitruroa eta grafito-silizio-karburoa errekoste azkarreko laberako materialak dira, eta merkatuko aukera nagusia grafitoa etasiliziozko karburozko estaldura material gisa. 

Honako hauek diraezaugarriak eta errendimendu bikainaVeTek Semiconductor SiC estalitako RTA RTP prozesuko obleen eramailearena:

-Tenperatura Handiko Egonkortasuna: SiC estaldurak tenperatura altuko egonkortasun bikaina erakusten du, egituraren osotasuna eta erresistentzia mekanikoa bermatuz muturreko tenperaturan ere. Gaitasun horrek oso egokia da tratamendu termikoko prozesu zorrotzetarako.

-Eroankortasun termiko bikaina: SiC estaldura-geruzak eroankortasun termiko aparta du, beroaren banaketa azkarra eta uniformea ​​ahalbidetzen duena. Horrek bero-prozesaketa azkarragoa da, berotze denbora nabarmen murrizten du eta produktibitate orokorra hobetzen du. Bero-transferentziaren eraginkortasuna hobetuz, produkzio-eraginkortasun handiagoa eta produktuaren kalitatea hobetzen laguntzen du.

-Inertetasun kimikoa: Silizio karburoaren berezko inertetasun kimikoak hainbat produktu kimikoren korrosioarekiko erresistentzia bikaina eskaintzen du. Karbonoz estalitako siliziozko karburoko obleen euskarriak modu fidagarrian funtziona dezake hainbat ingurune kimikotan obleak kutsatu edo kaltetu gabe.

-Gainazalaren lautasuna: CVD silizio karburozko geruzak gainazal oso laua eta leuna bermatzen du, obleekin kontaktu egonkorra bermatuz prozesaketa termikoan zehar. Horrek gainazaleko akats gehigarriak ezabatzen ditu, prozesatzeko emaitza optimoak bermatuz.

-Arina eta Erresistentzia Handia: Gure SiC estalitako RTP obleen eramailea arina da, baina indar nabarmena du. Ezaugarri honek obleen karga eta deskarga eroso eta fidagarria errazten du.

Nola erabili RTA RTP Process obleen eramailea:

VeTek Semiconductor-en SiC estaldura oblearen hargailuaren eta hargailuaren estalkia

RTA RTP hargailua RTA RTP obleen eramailea RTP erretilua (RTA berotzeko tratamendu azkarrerako) RTP erretilua (RTA berotzeko tratamendu azkarrerako) RTP hargailua RTP obleen euskarria erretilua