QR kodea
Guri buruz
Produktuak
Jarri gurekin harremanetan

Mugikorra

Faxa
+86-579-87223657

Posta elektronikoa

Helbidea
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Zhejiang Probintzia, Txina
VeTek semieroale erdieroaleen industriarako tantalio karburoko estaldura materialen fabrikatzaile nagusia da. Gure produktuen eskaintza nagusiak CVD tantalio karburoaren estalduraren piezak, SiC kristalen hazkuntzarako TaC estaldura sinterizaturako piezak edo erdieroaleen epitaxia prozesurako daude. ISO9001 gaindituta, VeTek Semiconductor-ek kalitatearen kontrol ona du. VeTek Semiconductor tantalio karburoaren estalduraren industrian berritzaile bihurtzeko dedikatzen da teknologia iteratiboen etengabeko ikerketa eta garapenaren bidez.
Produktu nagusiak hauek dira: TaC estalitako gida-eraztuna, CVD TaC estalitako hiru petalo-eraztuna, tantalio-karburoa TaC estalitako Halfmoon, CVD TaC estaldura planetarioa SiC epitaxial suszeptorea, tantalio-karburoa estaldura-eraztuna, tantalio-karburoa estalitako grafito porotsua, TaC estaldura biraketa susceptor, tantalio-karburoa estalitako eraztuna, TaC suszeptorea, TaC susp. Estalitako Deflector Eraztuna, CVD TaC Estaldura Estalkia, TaC Coated Chuck eta abar, purutasuna 5ppm-tik beherakoa da, bezeroen eskakizunak bete ditzakete.
TaC estaldura grafitoa purutasun handiko grafito-substratu baten gainazala tantalio karburozko geruza fin batekin estaliz sortzen da Lurrun Kimikoen Deposizio (CVD) prozesu propio baten bidez. Abantaila beheko irudian erakusten da:
Tanto karburoa (TaC) estaldurak arreta bereganatu du 3880 °C arteko urtze-puntu altuagatik, erresistentzia mekaniko bikainagatik, gogortasunagatik eta kolpe termikoekiko erresistentziagatik, tenperatura-eskakizun handiagoak dituzten erdieroale konposatuen epitaxia prozesuetarako alternatiba erakargarria dela eta, hala nola, Aixtron MOCVD sistema eta LPE SiC epitaxi prozesuen aplikazio zabala du.
● Tenperatura-egonkortasuna 2500°C arte, shock termikoarekiko erresistentzia bikainarekin.
● Garbitasun oso altua (<5ppm) eta grafitoarekiko atxikimendu sendoa partikula gutxien sortzeko.
● H₂, NH₃, SiH₄ eta Si lurrunekiko erresistentzia handia prozesu ingurune gogorretan.
● Estaldura konformatua 750 mm-ko diametroa duen tamaina-gaitasuna duena, Txinan eskuragarri.
VeTek Semiconductor Tantalo Karburo Estalduraren parametroa:
| TaC estalduraren propietate fisikoak | |
| Dentsitatea | 14,3 g/cm³ |
| Gogortasuna | 2000 HK |
| Hedapen termikoa | 6,3×10⁻⁶/K |
| Erresistentzia | 1×10⁻⁵ Ohm·cm |
| Egonkortasun termikoa | <2500°C |
| Estalduraren lodiera | ≥20μm (ohikoa 35±10μm) |
karburozko (TaC) estaldura zeharkako sekzio mikroskopiko batean:
TaC estaldura EDX datuak:
TaC estaldura kristalaren egituraren datuak:
| Elementua | Ehuneko atomikoa | |||
| Pt. 1 | Pt. 2 | Pt. 3 | Batez bestekoa | |
| C K | 52.10 | 57.41 | 52.37 | 53.96 |
| Ta M | 47.90 | 42.59 | 47.63 | 46.04 |
TaC Estaldura Chuck
TaC estaldura disko planetarioa
TaC estalitako plaka
TaC Estaldura Errotazio Plaka
TaC estaldura suszeptorea
CVD TaC estaldura Estalkia
CVD TaC estaldura eraztuna
TaC Estaldura Plaka
Erdieroaleen prozesuen hainbat beharrei erantzuteko, VeTek-ek tantalio-karburoaren estaldura-produktuak eskaintzen ditu. Hurrengo taulak aplikazio-eremu nagusien arabera sailkatzen ditu, osagai tipikoak eta aplikagarriak diren prozesuak zerrendatuz:
| Aplikazio-eremua | Produktu tipikoak | Aplikazioaren deskribapena |
| SiC epitaxia | CVD TaC estalitako suszeptore planetarioa,TaC estalitako ostia suszeptorea,TaC estalitako gida eraztuna | Tenperatura altuko SiC epitaxial prozesuetarako egokia (adibidez, LPE metodoa), egonkortasun termiko handia eta kutsadura baxuko interfazea eskaintzen du filmaren uniformetasuna bermatzeko. |
| GaN / LED Epitaxia (MOCVD) | Dutxa-burua, satelite diskoa, maskaratze-eraztuna, bero-ezkutua, injekzio-tobera | Aixtron MOCVD sistemetarako egokia, H₂/NH₃ korrosioarekiko erresistentea, partikulen kutsadura murrizten du eta LED epitaxia-ren etekina hobetzen du. |
| SiC kristalaren hazkundea (PVT metodoa) | TaC estalitako grafito porotsua,TaC estalitako erdi ilargia,gida eraztun,estalkia,chuck | PVT SiC lingoteen hazkuntzan erabiltzen da, 2500 °C arte jasaten du, grafitoaren erreakzioak saihesten ditu eta kristalen garbitasuna bermatzen du. |
| Tenperatura handiko berogailua eta euskarri osagaiak | Berokuntza suszeptore induktiboa,berogailu-elementu erresistentea, obleen eramailea | Indukziozko edo erresistentziazko berokuntza-sistemetarako egokia, gogortasun eta shock termikoen erresistentzia handia eskaintzen duena, osagaien iraupena 3-5 aldiz luzatuz. |
Prozesua bat etortzeko irtenbide zehatzagoetarako, ikusiSilizio-karburoaren epitaxiaerlazionatutako aplikazio orria.
Bezeroen eskakizunetan oinarritutako zerbitzu pertsonalizatuak onartzen ditugu. ISO9001 gainditu du kalitate kontrol onarekin.
Ongi etorri gurekin harremanetan kontsulta gehiago lortzeko edo mezu bat utzi