Ostia Substratuakristal bakarreko material erdieroalez egindako ostia da. Substratua zuzenean sar daiteke obleak fabrikatzeko prozesuan gailu erdieroaleak ekoizteko, edo prozesu epitaxialaren bidez prozesatu daiteke obleak epitaxialak sortzeko.
Ostia Substratuaak, gailu erdieroaleen oinarrizko euskarri gisa, zuzenean eragiten du gailuen errendimenduan eta egonkortasunean. Gailu erdieroaleak fabrikatzeko "oinarri" gisa, fabrikazio-prozesu batzuk egin behar dira substratuan, hala nola film meheen hazkundea eta litografia.
Substratu moten laburpena:
●Kristal bakarreko siliziozko oblea: gaur egun substratu-material ohikoena, zirkuitu integratuen (ICs), mikroprozesadoreak, memoriak, MEMS gailuak, potentzia-gailuak, etab.-en fabrikazioan oso erabilia;
●SOI substratua: errendimendu handiko eta potentzia baxuko zirkuitu integratuetarako erabiltzen da, hala nola maiztasun handiko zirkuitu analogiko eta digitaletarako, RF gailuetarako eta potentzia kudeatzeko txipetarako;
●Substratu erdieroale konposatuak: Galio arseniuroaren substratua (GaAs): mikrouhinen eta uhin milimetrikoen komunikazio-gailuak, etab. Galio nitruroaren substratua (GaN): RF potentzia-anplifikadoreetarako, HEMT, etab.Silizio karburoaren substratua (SiC): ibilgailu elektrikoetarako, potentzia-bihurgailuetarako eta beste potentzia-gailuetarako erabiltzen da Indio fosfuroaren substratua (InP): laserretarako, fotodetektagailuetarako eta abarretarako erabiltzen da;
●Zafiroaren substratua: LED fabrikaziorako erabiltzen da, RFIC (irrati-maiztasun zirkuitu integratua), etab.;
Vetek Semiconductor Txinan SiC Substrate eta SOI substratu hornitzaile profesionala da. Gurea4H erdi isolatzailea SiC motako substratuaeta4H Mota Erdi Isolatzailea SiC Substratuaoso erabiliak dira erdieroaleak fabrikatzeko ekipoen funtsezko osagaietan.
Vetek Semiconductor-ek Wafer Substrate produktu aurreratu eta pertsonalizagarriak eta hainbat zehaztapenetako soluzio teknikoak eskaintzeko konpromisoa hartzen du erdieroaleen industriarako. Zinez espero dugu zure hornitzaile bihurtzea Txinan.
