Web menua

Produktuen bilaketa

Hizkuntza

Berriak

Berriak

Pozten gara zurekin partekatzea gure lanaren emaitzak, konpainiaren albisteak, eta garapen puntualak eta langileak izendatzeko eta kentzeko baldintzak ematen dizkizugu.
Enpresaren berriakIndustria Berriak
8 hazbeteko sic labe epituxial eta homoepitaxial prozesuen ikerketa29 2024-08

8 hazbeteko sic labe epituxial eta homoepitaxial prozesuen ikerketa

8 hazbeteko sic labe epituxial eta homoepitaxial prozesuen ikerketa
Substratu erdieroaleen oblea: Silizioaren, GaAs, SiC eta GaN-en materialaren propietateak28 2024-08

Substratu erdieroaleen oblea: Silizioaren, GaAs, SiC eta GaN-en materialaren propietateak

Artikuluak silizioa, GaAs, SiC eta GaN bezalako substratu erdieroaleen obleen material propietateak aztertzen ditu.
Tenperatura baxuko epitaxia teknologia oinarritzat hartuta27 2024-08

Tenperatura baxuko epitaxia teknologia oinarritzat hartuta

Artikulu honek tenperatura baxuko teknologia epitaxialak deskribatzen ditu batez ere.
X
Cookieak erabiltzen ditugu nabigazio esperientzia hobea eskaintzeko, guneko trafikoa aztertzeko eta edukia pertsonalizatzeko. Gune hau erabiltzean, gure cookieen erabilera onartzen duzu.Pribatutasun politika
BaztertuOnartu