Berriak

Eskuragarri dauden teknologien artean, tamaina handiko erresistentzia berotzeko SiC kristal hazteko labea irtenbide kritiko gisa sortu da diametro handiko eta akats baxuko SiC kristalak koherentzia eta eraginkortasun hobeak dituztenak ekoizteko. Artikulu honek teknologia honek nola funtzionatzen duen aztertzen du, bere abantailak, aplikazioak eta zergatik fidatzen diren industriako liderrak Veteksemiren soluzio berritzaileak.

ASMrako SiC estalitako grafito suszeptore bat ez da epitaxia sistema baten barruan ordezko pieza bat. Prozesu kritikoa den eramailea da, uniformetasun termikoa, obleen garbitasuna, estalduraren iraunkortasuna, ganberaren egonkortasuna eta epe luzerako ekoizpen kostua eragiten duena.

CVD TaC Estaldura Estaldura ez da estalki babeslea edo grafito estalitako osagaia soilik. Tenperatura handiko erdieroaleen prozesuetan, ganberaren garbitasunean, egonkortasun termikoan, zatiaren bizitzan eta prozesuen koherentzian eragin dezake.