Berriak

SIC industrian fabrikatzaile garrantzitsu gisa, San Poscoelektronikoen dinamikak industrian arreta zabala jaso du. Duela gutxi, Sanan optoelektronikoek azken garapen batzuk ezagutzera eman zituzten, 8 hazbeteko eraldaketa, substratu fabrikaren ekoizpen berria, enpresa berriak, gobernuko diru-laguntzak eta bestelako alderdiak ezartzea.

SIC eta Aln kristal bakarreko hazkundean, lurruneko garraio fisikoa (PVT) metodoa erabiliz, funtsezko osagaiak, esate baterako, Crucible, Seed Titularra eta Gida Eraztuna funtsezko eginkizuna dute. 2. irudian [1] irudikatuta, PVT prozesuan zehar, haziaren kristala tenperatura baxuko eskualdean kokatzen da, eta SIC lehengaiak tenperatura altuagoak jasaten ditu (2400 ℃ baino gehiago).

Silizio karburo substratuak akats ugari dituzte eta ezin dira zuzenean prozesatu. Crystal Film mehe jakin bat hazi behar da epitaxial prozesu baten bidez txipa ogiak egiteko. Film mehe hau epitaxial geruza da. Silizio karburo gailu ia guztiak material epituxialetan konturatzen dira. Kalitate handiko silizio karburo homogaxiko homogeneoak silizio karburo gailuak garatzeko oinarria dira. Material epituxialen errendimenduak zuzenean zehazten du silizio karburo gailuen errendimendua gauzatzea.