Industria Berriak

Zirkuitu integratuak edo gailu erdieroaleak oinarrizko geruza kristalino perfektu batean eraikitzeko aproposa da. Erdieroaleen fabrikazioko epitaxia (epi) prozesuak kristal bakarreko geruza fin bat, normalean 0,5 eta 20 mikra ingurukoa, kristal bakarreko substratu batean metatzea du helburu. Epitaxia prozesua gailu erdieroaleen fabrikazioan urrats garrantzitsua da, batez ere siliziozko obleen fabrikazioan.

Epitarioaren eta geruza atomikoaren gordailuaren (aldagaia) arteko desberdintasun nagusia haien filmaren hazkunde mekanismoetan eta funtzionamendu baldintzetan datza. Epitaxiak kristalezko film mehe bat hazteko prozesua aipatzen du, orientazio harreman jakin batekin, kristal-egitura berdina edo antzekoa mantenduz. Aitzitik, Ald depositu teknika da, sekuentzia kimiko desberdinetara substratua azaltzea sekuentzian sekuentzian, aldi berean geruza atomiko bat osatzeko film mehe bat osatzeko.

CVD TAC estaldura substratu batean (grafitoa) estaldura trinko eta iraunkorra osatzeko prozesu bat da. Metodo honek TaC substratuaren gainazalean tenperatura altuetan metatzea dakar, eta ondorioz, tantalio karburoa (TaC) estaldura lortzen da, egonkortasun termiko eta erresistentzia kimiko bikainarekin.

8 hazbeteko silizio karburoa (SIC) prozesua heltzen den heinean, fabrikatzaileek 6 hazbetera 8 hazbetera aldatzen dute. Berriki, erdieroaleei eta Resonac-en 8 hazbeteko SIC produkzioari buruzko eguneratzeak iragarri dituzte.

Artikulu honek PE1O8 Hot-Wall CVD erreaktore berriaren azken garapenak aurkeztu ditu Italiako enpresako konpainiaren erreaktoreari eta 4h-sic epitaxia uniformea ​​egiteko 200mm sic-en.

Potentzia elektronikan, optoelektronikan eta beste alor batzuetan SiC materialen eskaera gero eta handiagoa dela eta, SiC kristal bakarreko hazkuntza teknologiaren garapena berrikuntza zientifiko eta teknologikorako funtsezko eremua bihurtuko da. SiC kristal bakarreko hazkuntza ekipoen muina den heinean, eremu termikoen diseinuak arreta handia eta ikerketa sakona jasotzen jarraituko du.