Web menua

Produktuen bilaketa

Hizkuntza

Zerbitzuak eta Baliabideak

Materialak eta Diseinua

Bat datozen substratua eta estaldura konbinazioa hautatzea funtsezkoa da osagaien hutsegite goiztiarra saihesteko, partikulen kutsadura murrizteko eta obleen etekina maximizatzeko. Bezeroaren prozesu-leiho espezifikoaren inguruan (funtzionamendu-tenperatura, gas-kimika erreaktiboa, arrapala-tasa) neurrira egindako materialen eta egitura-diseinu-soluzioak eskaintzen ditugu.

Gure oinarrizko diseinu-gaitasunak:

  • CTE estresaren parekatzea zorrotza:Ziklo termiko azkarrerako (>100 °C/min), garbitasun handiko grafitoko substratuen eta CVD estalduretako CTE tenperatura-kurbak zehatz-mehatz bat egiten ditugu, funtsean estaldura delaminatzeko eta mikro-pitzaduraren arriskua murrizteko.
  • Prozesu-eszenatoki-estaldura espezifikoa hautatzea:CVD SiC estaldura Si/SiC epitaxia (Epi), MOCVD eta plasma grabatzeko inguruneetarako; CVD TaC estaldura tenperatura altuagoetarako eta baldintza biziki korrosiboetarako (adibidez, SiC kristal bakarreko PVT hazkuntza).
  • Erresistentzia kontrolagarria eta eroankortasun termikoaren optimizazioa:Substratuaren eta estalduraren erresistibitatea eta eroankortasun termikoaren kontrol zehatza RF, ESC gailu elektrostatikoen edo Berokuntza Guneen eremu elektriko eta termikoen eskakizun zehatzak betetzeko.
  • Kutsadura iturriaren kontrola eta CoO murriztea:Garbitasun handiko CVD deposizio-geruzek grafito porotsua zigilatzen dute, eta nabarmen murrizten dute partikulen isurketa, ultra-arrastoko metalen ezpurutasunen difusioa eta tenperatura altuko gasa botatzeko arriskua.

Estalduraren hautaketa tipikoen konparaketa (Begiratu batean gida)

Estaldura Aplikazioaren jarraibide tipikoak Oinarrizko Abantailak
CVD SiC Si/SiC epitaxia (Epi), MOCVD, plasma partziala grabatzea Garbitasun handia, egonkortasun termiko ona, korrosio kimikoaren erresistentzia, kostu-errendimendu orokorra altua
CVD TaC Tenperatura altuko SiC kristal bakarreko hazkundea (PVT), tenperatura altuko muturreko karga-osagaiak Tenperatura maila altuagoa (>1600 °C), korrosioarekiko erresistentzia handia, oxidazioarekiko erresistentzia bikaina

Benetako kasua eta bezeroaren abantailak (esperientzia):

SiC epitaxia (Epi) fabrikatzaile nagusi bat:Jatorrizko osagaiak bat ez datorren CVD TaC estaldura erabiltzen zuen, eta ondorioz, gehiegizko tentsio interfacial eta maiz mikro-arraildurak sortzen zituen tenperatura altuetan. Simulazio termodinamikoak berriro egin genituen eta a-ra aldatu ginenCTE-rekin bat datorren purutasun handiko grafitozko substratua + buffer geruza + CVD SiC estaldurairtenbidea. Emaitza: osagaien batez besteko iraupena 200 ordutik 850 ordura igo zen; tresna bakoitzeko urteko ordezkapen maiztasuna 40tik 9ra jaitsi zen; ekipamendu integralak O&M kostuen aurrezteak RMB 650.000 gainditu zituen urtean.

GDMS purity analysis report for TaC coating GDMS purity analysis report for SiC coating

TaC eta SiC estalduretarako GDMS purutasun-analisiaren txostena

Ohiko galderak

1. G: Nola aukeratu behar dut CVD SiC estalduraren eta CVD TaC estalduraren artean?

▼

A:Begiratu zure prozesuaren tenperatura eta gas faseko korrosioaren intentsitatea. Prozesuaren tenperatura 1000 °C-tik beherakoa bada eta batez ere Cl₂/F2-n oinarritutako grabazioa edo ohiko epitaxia badakar, aukeratuCVD SiCkostu-errendimendu onena lortzeko; prozesuaren tenperatura 1200 °C gainditzen badu eta atmosfera oso korrosiboak badakar (adibidez, SiC PVT kristal bakarreko hazkundea), gomendatzen dugu.CVD TaC, tenperatura eta korrosioarekiko erresistentzia handiagoa eskaintzen duena. Doako hautaketa gomendioen txostena eman dezakegu zure prozesuko parametro espezifikoetan oinarrituta.

2. G: pieza bakarreko / lote txikiko prototipoak onartzen dituzu? Zein da epea?

▼

A:Bai! Alderantzizko ingeniaritzarako prototipoetarako,MOQ pieza 1 da. Pieza sinple konbentzionaletarako, lagina jasotzen denetik mapatutako pieza entregatu arte, epe bizkorrena da gutxi gorabehera10-15 lanegun; estaldura-prozesu konplexuak dituzten piezetarako gutxi gorabehera20-25 lanegun. Jarri harremanetan gure ingeniariekin ebaluazio azkarra lortzeko.

3. G: Zerk eragiten du CVD estaldura delaminazioa grafitozko piezen gainean erabileran? Konpon daiteke?

▼

A:Deslaminazio-kasuen % 90 grafito-substratuaren eta estalduraren dilatazio termikoaren koefizientearen (CTE) arteko desegokitzeak eragiten du, beroketa/hozte azkarrean nekea zuritzea eragiten duena. Gure irtenbidea: lehenik eta behin, neurtu zehatz-mehatz zure jatorrizko piezaren CTE kurba, gero bereziki egokitu substratuaren dentsitatea eta jalkitze-tenperatura-gradientea, bi CTEak oso bat etor daitezen. Lotura indarra baino gehiago hobetu daiteke1,5 aldizindustria maila konbentzionala.

4. G: Eman al dezakezu CoA (Analisia Ziurtagiria) produktuetarako? Zein datu biltzen ditu?

▼

A:Bidaltzen diren produktu bakoitza estandar batekin datorserie-zenbaki bakarra + CoA txosten osoa. Txostenak honako hauek ditu: dimentsio kritikoko CMM ikuskapen-datuak, puntu anitzeko estalduraren lodieraren banaketa-mapa, gainazaleko zimurtasunaren (Ra) balioak eta materialaren purutasuna (GDMS) analisiaren ondorioak.

Hasi zure zerbitzu esklusiboa orain

Jar zaitez gurekin harremanetan berehala Eskatu aurrekontua

Telefonoa: +86-18069220752(Tina);+86-15988690905(Sera)

Posta elektronikoa: anny@veteksemi.com

Lagin-mapaketaMaterialak eta DiseinuaOptimizazioa eta Masa ProdukzioaQC eta Logistika
Albisteen Gomendioak
Silizio karburoaren epitaxia materiala
Silizio karburoaren epitaxia materialaGehiago ikusi >>
Txiparen fabrikazio prozesuaren azalpen osoa (1/2): Wafer-etik ontzira eta probetara
Txiparen fabrikazio prozesuaren azalpen osoa (1/2): Wafer-etik ontzira eta probetaraGehiago ikusi >>
Zein da Tac estalitako zatien aplikazio espezifikoa erdieroale eremuan?
Zein da Tac estalitako zatien aplikazio espezifikoa erdieroale eremuan?Gehiago ikusi >>
Tenperatura baxuko epitaxia teknologia oinarritzat hartuta
Tenperatura baxuko epitaxia teknologia oinarritzat hartutaGehiago ikusi >>
Garbitasun handiko susceptors: 2026an obleen etekin erdiko pertsonalizatuaren gakoa
Garbitasun handiko susceptors: 2026an obleen etekin erdiko pertsonalizatuaren gakoaGehiago ikusi >>
Ebaketa teknologia adimenduna silizio kubikoko karburo kubikoetarako
Ebaketa teknologia adimenduna silizio kubikoko karburo kubikoetarakoGehiago ikusi >>
X
Cookieak erabiltzen ditugu nabigazio esperientzia hobea eskaintzeko, guneko trafikoa aztertzeko eta edukia pertsonalizatzeko. Gune hau erabiltzean, gure cookieen erabilera onartzen duzu. Pribatutasun politika
BaztertuOnartu