Lagin-mapaketa

Bezeroak emandako lagin fisikoan oinarrituta (nahiz eta erabilitako pieza higatu edo haustura izan), espektro osoko zerbitzua eskaintzen dugu, egitura fisikoaren alderantzizko ingeniaritzatik material-mailako karakterizazio fisikokimikoraino. Erdieroale-mailako zehaztasun handiko ikuskapen-ekipoak aprobetxatuz, 3D egitura geometriko konplexuak, estaldura/substratu interfazearen propietateak eta materialen parametro fisikoak zehaztasunez kuantifikatzen ditugu, alderantzizko ingeniaritza-produktuak betetzen dituela ziurtatuz. OEM estandarrak gainditzen ditu egokitze fisikoan, prozesuen bateragarritasunean eta zerbitzu-bizitzan (Form-Fit-Function Replacement).

Neurtzen duguna (emangarri teknikoak):

• Perdoi dimentsionalak eta geometrikoak:Doitasun handiko Koordenatuak Neurtzeko Makinak (CMM) eta 3D eskaner optikoak erabiliz, tamaina osoko puntu-hodeiaren modelizazioa eta barrunbe-egitura konplexuak eta zuloak muntatzeko/kokatzeak berreraikitzen ditugu, mikra-mailako zehaztasuna lortuz.
• Gainazaleko mikromorfologia eta lautasuna:Argi zuriko interferometroak eta profilometro optikoak erabiltzea nanometriko eskalako gainazaleko zimurtasuna (Ra) eta eremu handiko lautasuna ebaluatzeko, obleak maneiatzeko eta ganbera zigilatzeko baldintzak betez.
• Edge Mikro-Ezaugarriak:Ertz-erradioen eta chamfer mikro-profilen handipen handiko mapaketa estalduraren igoeraren morfologia optimizatzeko eta tenperatura altuko delaminazioa eragin dezaketen ertz zorrotzetan tentsio-kontzentrazioa saihesteko.
• Grafito-substratua eta bat etortze termikoaren analisia:Garbitasun handiko grafitoaren substratuaren dentsitatea, ale-tamaina eta hedapen termikoaren koefizientea (CTE) ebaluatzea, substratuaren eta CVD estalduraren arteko tentsio termikoaren parekatzea bermatzeko.
• Estalduraren ebakidura eta interfazearen loturaren kalitatea:XRF ez-suntsitzailea eta metalografiko ebakidura SEM azterketa lodiera absolutua, CVD estalduraren uniformetasun erradiala eta interfazearen sartze-sakonera neurtzeko.
• Faseen egitura eta mikrokristalen analisia:CVD SiC-ren fase kubikoaren (β-SiC) purutasunaren XRD ebaluazioa; CVD TaC-ren estekiometria kimikoaren eta kristal-egituraren ezaugarrien ebaluazio kualitatiboa.

Benetako kasua eta bezeroaren abantailak (esperientzia):

12 hazbeteko erdieroaleak grabatzeko osagaien bezeroa:OEM hornidura eten da; erabilitako pieza gastatu bakarra zegoen eskuragarri. CMM alderantzizko modelaketaren + SEM estalduraren zeharkako analisiaren bidez, ordezko piezen garapena eta erreminta gaineko probak egin genituen 2 hilabeteko epean, jatorrizko marrazkirik gabe, % 100eko instalazio-egokitasuna lortuz. Azken finean, osagaien kontratazio-zikloa jatorrizko 6 hilabeteko inportazio-epetik 2 hilabetera murriztu zen, kontratazio unitarioko kostua % 42 jaitsi zen, eta eredu hau egonkorrez hornitu da 30 lote baino gehiagotan.

Silizio Karburoa (SiC) estaldura SEM estalduraren ebakiduran

Ohiko galderak

Hasi zure zerbitzu esklusiboa orain