Web menua

Produktuen bilaketa

Hizkuntza

Berriak

Berriak

Pozten gara zurekin partekatzea gure lanaren emaitzak, konpainiaren albisteak, eta garapen puntualak eta langileak izendatzeko eta kentzeko baldintzak ematen dizkizugu.
Enpresaren berriakIndustria Berriak
Zein mehea izan daiteke TAIKO prozesuak silizioko ogiak?04 2024-09

Zein mehea izan daiteke TAIKO prozesuak silizioko ogiak?

Taiko prozesua silizioko ogiak bere printzipioak, abantaila teknikoak eta prozesuaren jatorriak erabiliz.
8 hazbeteko sic labe epituxial eta homoepitaxial prozesuen ikerketa29 2024-08

8 hazbeteko sic labe epituxial eta homoepitaxial prozesuen ikerketa

8 hazbeteko sic labe epituxial eta homoepitaxial prozesuen ikerketa
Substratu erdieroaleen oblea: Silizioaren, GaAs, SiC eta GaN-en materialaren propietateak28 2024-08

Substratu erdieroaleen oblea: Silizioaren, GaAs, SiC eta GaN-en materialaren propietateak

Artikuluak silizioa, GaAs, SiC eta GaN bezalako substratu erdieroaleen obleen material propietateak aztertzen ditu.
Tenperatura baxuko epitaxia teknologia oinarritzat hartuta27 2024-08

Tenperatura baxuko epitaxia teknologia oinarritzat hartuta

Artikulu honek tenperatura baxuko teknologia epitaxialak deskribatzen ditu batez ere.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept