Berriak

Epitarioaren eta geruza atomikoaren gordailuaren (aldagaia) arteko desberdintasun nagusia haien filmaren hazkunde mekanismoetan eta funtzionamendu baldintzetan datza. Epitaxiak kristalezko film mehe bat hazteko prozesua aipatzen du, orientazio harreman jakin batekin, kristal-egitura berdina edo antzekoa mantenduz. Aitzitik, Ald depositu teknika da, sekuentzia kimiko desberdinetara substratua azaltzea sekuentzian sekuentzian, aldi berean geruza atomiko bat osatzeko film mehe bat osatzeko.

CVD TAC estaldura substratu batean (grafitoa) estaldura trinko eta iraunkorra osatzeko prozesu bat da. Metodo honek TaC substratuaren gainazalean tenperatura altuetan metatzea dakar, eta ondorioz, tantalio karburoa (TaC) estaldura lortzen da, egonkortasun termiko eta erresistentzia kimiko bikainarekin.

8 hazbeteko silizio karburoa (SIC) prozesua heltzen den heinean, fabrikatzaileek 6 hazbetera 8 hazbetera aldatzen dute. Berriki, erdieroaleei eta Resonac-en 8 hazbeteko SIC produkzioari buruzko eguneratzeak iragarri dituzte.

Artikulu honek PE1O8 Hot-Wall CVD erreaktore berriaren azken garapenak aurkeztu ditu Italiako enpresako konpainiaren erreaktoreari eta 4h-sic epitaxia uniformea ​​egiteko 200mm sic-en.