Berriak

Taiko prozesua silizioko ogiak bere printzipioak, abantaila teknikoak eta prozesuaren jatorriak erabiliz.

8 hazbeteko sic labe epituxial eta homoepitaxial prozesuen ikerketa

Artikuluak silizioa, GaAs, SiC eta GaN bezalako substratu erdieroaleen obleen material propietateak aztertzen ditu.

Artikulu honek tenperatura baxuko teknologia epitaxialak deskribatzen ditu batez ere.

Artikulu honek TACen egitura molekularra eta propietate fisikoak aurkezten ditu lehenengo, eta Sintered Tantalum Carbide eta CVD Tantalum Carbideren desberdintasunak eta aplikazioak ditu, baita Vetek erdieroaleen TAC estaldurako produktuak ere.

Artikulu honek CVD TAC estalduraren produktuaren ezaugarriak aurkezten ditu CVD TAC estaldura prestatzeko prozesua CVD metodoa erabiliz, eta gainazaleko morfologiaren oinarrizko metodoa prestatutako CVD TAC estaldura hautemateko oinarrizko metodoa.