Berriak

Potentzia elektronikan, optoelektronikan eta beste alor batzuetan SiC materialen eskaera gero eta handiagoa dela eta, SiC kristal bakarreko hazkuntza teknologiaren garapena berrikuntza zientifiko eta teknologikorako funtsezko eremua bihurtuko da. SiC kristal bakarreko hazkuntza ekipoen muina den heinean, eremu termikoen diseinuak arreta handia eta ikerketa sakona jasotzen jarraituko du.

Aurrerapen teknologiko jarraitua eta mekanismo sakoneko ikerketa bidez, 3C-SIC heteroepitaxial teknologia garrantzitsuak izatea espero da erdieroaleen industrian eta eraginkortasun handiko gailu elektronikoen garapena sustatzea.

Ald espaziala, espazio geruza atomikoaren deposizioa. Oihalak posizio desberdinen artean mugitzen da eta posizio bakoitzean aitzakiatzaile desberdinen eraginpean dago. Jarraian, Ald tradizionalaren eta espazialki isolatutako Ald arteko konparazioa da.

Berriki, Fraunhofer Iisb-ek Fraunhofer Iisb-ek aurrerapauso bat egin du Tantalum Carbide estaldura teknologiaren ikerketan eta garapenean, eta CVD deposizioaren irtenbidea baino malguagoa eta ingurumena errespetatzen duen spray estaldura irtenbidea garatu du eta komertzializatu egin da.