4 ° Off ardatz p-motako sic wafer

Txinan erdieroaleen fabrikatzaile profesional gisa, VeTek Semiconductor 4° off ardatza p motakoaSiC ostia4h silikonazko karburo (sic) wafers-ek 4 ° -rek erakusten duten kristal-norabide nagusitik (normalean C ardatza) desbideratzen dira. Produktu hau normalean potentzia elektronikoko gailu elektronikoak eta irrati maiztasuna (RF) gailuak fabrikatzeko erabiltzen dira erdieroaleen industriaren katean, eta produktuaren abantaila bikainak ditu.

Ardatz kanporaketaren bidez, Vetek erdieroalearen ardatzak 4 ° -ko ardatz p-motako sic waferrak modu eraginkorrean murriztu ditzake epitaxial geruzaren hazkundean sortutako dislokazioak eta akatsak, eta, horrela, ogitariaren kalitatea hobetuz. Horrez gain, 4 ° -ko ardatz-orientazioek epitaxial geruza uniformeagoa eta akatsa hazten laguntzen dute, geruza epituxialaren kalitatea hobetzen du eta, oro har, errendimendu handiko gailuak fabrikatzeko egokia da.

Gainera, VeTek Semiconductor-en 4°-ko ardatzeko p motako SiC Wafer produktuek obleak zulo-eramaile gehiago izan ditzakete eta P motako erdieroale bat eratu dezakete ezpurutasun onartzaile dopatuz (aluminioa edo boroa, esaterako). P motako 4H-SiC obleak P motako geruza behar duten potentzia-gailuen fabrikazioan erabili ohi dira. Erdieroale mota honek propietate elektriko bikainak ditu.

6h-sic bezalako beste polimorfo batzuekin alderatuta,4H-SiCElektroi mugikortasun handiagoa du eta eremu elektrikoaren indarra matxura du, eta maiztasun handiko eta potentzia handiko eszenatokietarako egokia da. Gainera, 4h-sic materialek tentsio handiko eta tenperatura handiko erresistentzia bikaina dute eta normalean ingurune gogorretan lan egin dezakete.

2 hazbeteko 4 hazbeteko 4 ° ardatzetik kanpo p motako SiC oblearen tamainari lotutako estandarrak：

6 inch 4°off axis p-type SiC Wafer Size-related standards：

4 ° Off ardatz P-Type SIC Wafer hautemateko metodoak eta terminologia：

Vetek erdieroaleak dagoeneko 4 ° desaktibatu ditu 4h-SIC 4H-SIC-eko substratuak 2 ~ 6 hazbetekoak.Substratua aluminioz dopatzen da eta urdina agertzen da. Erresistentzia 0,1 eta 0,7ω artekoa da • cm. 

4 ° Off ardatzetarako P-Mota SIC Wafer-en produktuen baldintzak badituzu, ongi etorri gurekin kontsultatzera.