Sic wafer eramaile horizontala

VeTek erdieroaleakSiC obleen eramaile horizontala/ Itsasontziak urtze puntu oso altua du (2700 ºC inguru) eta horrek aukera ematen duSiC obleen eramaile horizontala/ Itsasontzia tenperatura handiko inguruneetan lan egiteko deformazio edo degradaziorik gabe. Ezaugarri hau bereziki garrantzitsua da erdieroaleen fabrikazio prozesuan, batez ere tenperatura altuko estazio edo kimikoen gordailua (CVD) bezalako prozesuetan.

-ASic wafer eramaile horizontala/ Itsasontziek berariaz jokatzen dute ondorengo rolak Wafer eramaileak eramateko prozesuan:

Siliziozko ostia eramatea eta euskarria: SiC Wafer Boat horizontala erdieroaleen fabrikazioan siliziozko obleak eramateko eta eusteko erabiltzen da batez ere. Siliziozko obleak irmo antola ditzake elkarrekin prozesatzeko prozesu osoan posizio onean eta egonkortasunean mantentzen direla ziurtatzeko.

Berokuntza eta hozte uniformea. Honek tenperatura handiko prozesaketan silikonazko ogiak berogailu uniformea ​​edo hozteak lortzen laguntzen du, prozesamendu prozesuaren koherentzia eta fidagarritasuna bermatuz.

Kutsadura ekidin: SICen egonkortasun kimikoa tenperatura handiko eta gas korrosiboen inguruneetan ondo funtzionatzeko aukera ematen du, eta, horrela, silikonaren ogiak kutsatzaile edo erreaktibo posibleetara murrizten dira, silikonazko ogien garbitasuna eta kalitatea bermatuz.

Izan ere, SIC Wafer Itsasontzi horizontalak aurreko eginkizuna izan dezake bere produktuaren ezaugarri bereziak direla eta:

Egonkortasun kimiko bikaina: SiC materialak korrosioarekiko erresistentzia bikaina du hainbat euskarri kimikoekiko. Gas edo likido korrosiboak prozesatzeko prozesuan, SiC Wafer Boat-ek eraginkortasunez aurre egin diezaioke korrosio kimikoari eta siliziozko obleak kutsadura edo kalteetatik babesten ditu.

Eroankortasun termiko handia: SICen eroankortasun termiko altuak eramailearen prozesuan beroa modu berdinean banatzen eta bero metaketa murrizten laguntzen du. Horrek zehaztasun prozesatzean tenperatura kontrolatzeko zehaztasuna hobetu dezake eta silikono-ogien berogailu uniformea ​​edo hozteak bermatzen ditu.

Dilatazio termiko koefiziente baxua: SiC materialaren hedapen termiko koefiziente baxuak esan nahi du SiC Wafer Boat-en dimentsio-aldaketa oso txikia dela tenperatura aldaketetan. Horrek tenperatura altuko prozesatzean dimentsio-egonkortasuna mantentzen laguntzen du eta hedapen termikoak eragindako silizio-obleen deformazioa edo posizio-desplazamendua saihesten du.

SiC Wafer Carrier Horizontalaren oinarrizko propietate fisikoak:

Konparatu erdieroaleen ekoizpen denda:

Epitaxia Industria Katearen erdieroalearen ikuspegi orokorra: