Berriak

Material bakarreko material bakarrekoek ezin dituzte gailu erdieroaleen hazkunde ekoizpenaren beharrak asetu. 1959. urtearen amaieran, kristal materialen hazkunde teknologia bakarreko geruza mehea - hazkunde epitaxiala garatu zen.

Silizio karburoa tenperatura altuko, maiztasun handiko, potentzia handiko eta tentsio handiko gailuak egiteko material apropos bat da. Ekoizpenaren eraginkortasuna hobetzeko eta kostuak murrizteko, tamaina handiko silizio karburo substratuak prestatzea garapen zuzendaritza garrantzitsua da.

Atzerriko albisteen arabera, bi iturrik ekainaren 24an jakinarazi zuten ByteDance Broadcom AEBetako txip diseinu enpresarekin lanean ari dela adimen artifizialaren (AI) prozesadore informatiko aurreratu bat garatzeko, eta horrek lagunduko dio ByteDance-ri Txinaren arteko tentsioen artean goi mailako txip hornidura egokia ziurtatzen. eta Estatu Batuak.

SIC industrian fabrikatzaile garrantzitsu gisa, San Poscoelektronikoen dinamikak industrian arreta zabala jaso du. Duela gutxi, Sanan optoelektronikoek azken garapen batzuk ezagutzera eman zituzten, 8 hazbeteko eraldaketa, substratu fabrikaren ekoizpen berria, enpresa berriak, gobernuko diru-laguntzak eta bestelako alderdiak ezartzea.