Gurutzea silizio monokristalarentzat

CZ-n (czochralski) metodoa, kristal bakarra hazi da hazi monokristalinoa silizio polikristalinoarekin harremanetan jarriz. Hazia pixkanaka gorantz tira egiten da poliki biratzen ari zaren bitartean. Prozesu honetan, grafito zati garrantzitsu bat erabiltzen da, silizioaren erdieroaleen fabrikazioan grafito osagaien kantitate handiena erabiltzen duen metodoa bihurtuz.

Eskuineko irudiak CZ metodoan oinarritutako silizio bakarreko kristal fabrikazio labe baten irudikapen eskematikoa eskaintzen du.

Vetek erdieroalearen semokrystalino silizioarentzako gurutzeak funtsezko eta kontrolatutako ingurunea eskaintzen du, kristal erdieroaleen eraketa zehatza lortzeko. Silikono monokristalinoen lingote monokristalinoak hazten ari dira, esaterako, Czochralski prozesua eta karroza-zona metodoak erabiliz, funtsezkoak dira gailu elektronikoak kalitate handiko materialak ekoizteko.

Egonkortasun termikoaren, korrosio kimikoen erresistentzia eta gutxieneko hedapen termikoarentzako ingeniaritza, funtsezkoak iraunkortasuna eta sendotasuna bermatzen dituzte. Ingurune kimiko gogorrak jasateko diseinatuta daude, egiturazko osotasuna edo errendimendua arriskuan jarri gabe, eta, horrela, gurutzearen bizitza luzatu eta luzaroaren erabilera koherentea mantentzen dute.

Silizio monokristalinoarentzako Vemen erdieroaleen funtsezko konposizioak tenperatura handiko prozesatzeko muturreko baldintzak jasateko aukera ematen die. Honek aparteko egonkortasun termikoa eta garbitasuna bermatzen ditu, kritikoak direnak prozesatzeko erdieroaleentzat. Konposizioak bero transferentzia eraginkorra ere errazten du, kristalizazio uniformea ​​sustatuz eta silizioaren barneko gradiente termikoak minimizatuz.

✔ Oinarrizko materialen babesa:Cvd sic estalduraProzesu epituxialean babes geruza gisa jokatzen du, oinarrizko materiala kanpoko inguruneak eragindako higaduratik eta kalteetatik babestea. Babes neurri honek ekipamenduaren zerbitzu bizitza asko hedatzen du.

✔ Eroankortasun termiko bikaina: Gure CVD SIC estaldurak eroankortasun termiko nabarmena du, beroa oinarrizko materialetik estaldura gainazalera transferitzea. Horrek kudeaketa termikoaren eraginkortasuna hobetzen du epitaxian zehar, ekipoetarako funtzionamendu tenperatura optimoak bermatuz.

✔ Zinemaren kalitatea hobetua: CVD SIC estaldurak gainazal laua eta uniformea ​​eskaintzen du, fundazio aproposa sortuz zinemagintzaren hazkuntzarako. Zorrotz desorekaren ondorioz sortutako akatsak murrizten ditu, film epituxialaren kristalitatea eta kalitatea hobetzen ditu eta, azken batean, bere errendimendua eta fidagarritasuna hobetzen ditu.