Hiru petalo grafito gurutzea

Vetek erdieroalearen hiru petalo grafitoa CZ metodoaren bidez, silizio monokristalinoaren hazkuntza-prozesurako diseinatua, hiru petalo egituraren grafito grafitoa garbitasun handiko grafito materialez osatuta dago. Hiru petarteko egitura berritzailearen bidez, ohiko integratutako krukrea desmuntatze-zailtasunak, estres termikoaren kontzentrazio termikoa eta bestelako industria-puntuek modu eraginkorrean konpondu dezakete, eta oso erabilia da siliziozko ogitore fotovoltaikoetan, erdieroaleen ogiak eta goi-mailako fabrikazioko beste eremu batzuk.

Core Prozesua nabarmentzen da

1. Zehaztasun handiko grafito prozesatzeko teknologia

Material garbitasuna: grafito-substratu isostatikoa erabiltzea errauts-edukiarekin <5ppm behar izanez gero, eta, oro har, <10ppm silizioaren urtze prozesuan zero kutsadura ziurtatzeko

Egiturazko indartzea: 2200 ℃ grafitizatu ondoren, tolestura indarra ≥45mpa da eta hedapen termikoaren koefizientea ≤4.6 × 10⁻⁶ / ℃ da

Gainazaleko tratamendua: 10-15 milioi karbono estaldura pirolitikoen estaldura da, oxidazioarekiko erresistentzia hobetzeko (pisua galtzea <1,5 %/100h@1600℃).

2. Hiru petalo egituraren diseinu berritzailea

Muntazio modularra: 120 ° Ekipalizioa Hiru lobuluen egitura, instalazioa eta desmuntatze-eraginkortasuna% 300 igo dira

Estresa askatzeko diseinua: egitura zatituak hedapen termikoa estresa modu eraginkorrean sakabanatzen du eta zerbitzuaren bizitza 200 ziklo baino gehiago zabaltzen du

Zehaztasun egokia: balbulen arteko hutsunea <0,1mm da, eta tenperatura altuko zeramikazko itsasgarriak zero ihesak ziurtatzen ditu silizioaren urtze prozesuan

3. prozesatzeko zerbitzu pertsonalizatuak

Laguntza φ16 "-φ40" Tamaina osoko pertsonalizazioa, hormako lodiera tolerantzia kontrola ± 0,5mm

Gradiente dentsitatearen egitura 1.83G / cm³ eremuko banaketa termikoa optimizatzeko aukera daiteke

Eman balio erantsitako prozesuak, hala nola boron nitride konposatu estaldura eta rhenium metalezko ertza indartzea

Aplikazioaren agertoki tipikoa

Industria fotovoltaikoa

Silizio monokristalinoaren hagaxka etengabea: G12 tamaina handiko silikoko silikoko ekoizpenerako egokia da, ≥500KG kargatzeko ahalmena onartzen du

N motako topcon bateria: ultra-baxua ez den migrazioa Gutxiengoaren bizitza bermatzen du> 2ms

Eremu termikoa berritzea: Kristalezko labe bakarreko modeloekin bateragarria (PVI, Ferrotec, etab.)

Erdieroaleen fabrikazioa

8-12 hazbeteko erdieroalearen erdieroalearen silikononimo monokristalaren hazkundea: Class-10 Garbitasun Baldintzak betetzen ditu

Dopatutako kristal bereziak: boro / fosforoen banaketa uniformetasunaren kontrol zehatza

Hirugarren belaunaldiko erdieroalea: SIC Kristal Bakarreko Prestaketa Prozesu bateragarria

Ikerketa Zientifikoko eremua

Silizio ultra-meheen ogiak eta garapena, eguzki eguzki zeluletarako

Crystal Material Berrien hazkundea (Germanium, Gallium Arsenide)

Muga parametroen ikerketa (3000 ℃ tenperatura ultra-altua urtzeko esperimentua)

Kalitatea bermatzeko sistema

ISO 9001/14001 sistema bikoitzeko ziurtagiria

Bezeroentzako proben txostena eman (XRD konposizioaren analisia, sem mikroegitura)

Prozesu osoko trazabilitate sistema (laser markatzea + blokeo biltegia)