Produktuak
CVD SiC estalitako grafito susceptor Wafer Carrierrako
  • CVD SiC estalitako grafito susceptor Wafer CarrierrakoCVD SiC estalitako grafito susceptor Wafer Carrierrako

CVD SiC estalitako grafito susceptor Wafer Carrierrako

VETEK CVD SiC Coated Graphite Susceptor for Wafer Carrier errendimendu handiko obleen euskarri osagaia da, erdieroaleen epitaxia prozesuetarako diseinatua. Produktuak purutasun handiko grafitoa erabiltzen du substratu gisa eta CVD silizio karburozko (SiC) geruza uniforme batez estalita dago, egonkortasun termiko bikaina, erresistentzia kimikoa eta partikulen kontrol bikaina eskaintzen duena. Grafitoaren osagai kritiko gisa, erreakzio-ganberaren barruko obleak zuzenean onartzen ditu eta tenperatura banaketa uniformea ​​eta hazkunde epitaxial-baldintza egonkorrak mantentzen laguntzen du.

1. Produktuaren abantailak


  • Garbitasun handiko materiala:Erdieroale-mailako grafito-materialak eta SiC estaldura-egitura trinkoak kutsadura-arriskuak minimizatzen dituzte eta CVD SiC estalitako grafito suszeptorearen fidagarritasuna hobetzen dute.
  • Uniforme termiko bikaina:Grafitoaren egitura optimizatuak eta SiC estaldurak bero-transferentzia egonkorra eta obleen tenperatura-kontrol uniformea ​​eskaintzen dute.
  • Erresistentzia kimiko handia:SiC estaldura trinkoak prozesuko gasen eta ingurune korrosiboen aurkako erresistentzia handia eskaintzen du.
  • Zerbitzu-bizitza luzea:Gogortasun eta higadura-erresistentzia handiak iraunkortasuna hobetzen dute tenperatura altuko epitaxia baldintzetan.
  • Partikula baxua sortzea:CVD SiC gainazal trinkoak partikulen askapena murrizten du eta obleen prozesuaren fidagarritasuna hobetzen du.
  • Pertsonalizatutako diseinu-gaitasuna:Tamaina, egitura eta konfigurazio ezberdinetan eskuragarri dago ekipoen eskakizunen arabera.



2. Zehaztapen Teknikoak

Elementua
Balio Tipikoa
Substratua Materiala
Garbitasun handiko grafitoa
Estaldura Materiala
CVD Silizio Karburoa (SiC)
SiC purutasuna
≥%99,999
Estalduraren lodiera
100 ± 20 μm (pertsonalizagarria)
Estaldura Lodiera Uniformetasuna
Loteen arteko 10 μm barruan kontrolatua
CVD SiC estalduraren dentsitatea
3,21 g/cm³
Eroankortasun termikoa
300 W/m·K
Hedapen termikoaren koefizientea
4,5 × 10⁻⁶/K

3. Aplikazioak


  • SiC epitaxia prozesua:Grafitoaren suszeptorea obleen eramaile gisa erabiltzen da SiC epitaxia ekipoetan, SiC substratuei eusten die tenperatura altuko epitaxiaren hazkundean.
  • Silizio epitaxia prozesua:Silizio epitaxial erreaktoreetan aplikatzen da obleak eusteko eta baldintza termiko egonkorrak mantentzeko.
  • MOCVD epitaxia:VETEK grafito suszeptoreak egokiak dira MOCVD, LED epitaxia, GaN epitaxia, silizio epitaxia eta beste erdieroaleen fabrikazio prozesuetarako uniformetasun termiko eta egonkortasun kimiko bikaina eskatzen dutenak.
  • Erdieroaleak fabrikatzeko ekipoak:Hainbat epitaxia plataformarekin bateragarria, LPE labe horizontalekin, Aixtron, NuFlare eta erlazionatutako erdieroaleen ekipamenduekin.



4. Zergatik aukeratu VETEK?

VETEK-ek CVD SiC estalitako grafito susceptor soluzio pertsonalizatuak eskaintzen ditu grafitoaren arazketa, doitasun mekanizatua, CVD estaldura eta ikuskapen gaitasunak integratuz. Gure erdieroale-mailako grafito susceptor produktuek garbitasun handia, estaldura-lodiera uniformea, errendimendu termiko bikaina eta zerbitzu-bizitza luzea dituzte oble-eramaileen aplikazio zorrotzetarako.

Hot Tags: CVD SiC estalitako grafitoaren suszeptorea, grafitoaren suszeptorea, SiC estalitako grafitozko obleen eramailea, erdieroalearen epitaxiaren suszeptorea, MOCVD grafitoaren suszeptorea, SiC oblearen eramailea, CVD SiC grafitoaren suszeptorea
Bidali kontsulta
Harremanetarako informazioa
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Cookieak erabiltzen ditugu nabigazio esperientzia hobea eskaintzeko, guneko trafikoa aztertzeko eta edukia pertsonalizatzeko. Gune hau erabiltzean, gure cookieen erabilera onartzen duzu. Pribatutasun politika
BaztertuOnartu