Web menua

Produktuen bilaketa

Hizkuntza

Produktuak
GaN grafito epitaxialaren hargailua G5rako
  • GaN grafito epitaxialaren hargailua G5rakoGaN grafito epitaxialaren hargailua G5rako
  • GaN grafito epitaxialaren hargailua G5rakoGaN grafito epitaxialaren hargailua G5rako

GaN grafito epitaxialaren hargailua G5rako

Vetek erdieroalea fabrikatzaile profesionala da eta hornitzaile profesionala da, G5erako kalitate handiko gan grafitoaren suszeptorea eskaintzera eskainia. Epe luzerako eta egonkorreko lankidetza finkatu ditugu etxean eta atzerrian dauden enpresa ezagun ugarirekin, gure bezeroen konfiantza eta errespetua irabaziz.
Bidali kontsulta 
Produktuaren Deskribapena

Vetek erdieroalea Txinako Gan Epitaxial Grafito grafito profesionala da, G5 fabrikatzaile eta hornitzaileentzat. G5 ganaren grafito grafiko epitaxialarentzako osagai kritikoa da AIXTRON G5 Metal-Organikoko Produktu Kimikoen Gordailuan (MOCVD) kalitate handiko Gallium Nitride (GAN) film meheen hazkuntzarako, funtsezko eginkizuna du tenperatura uniformea ​​bermatzeko. Banaketa, bero transferentzia eraginkorra eta hazkunde prozesuan gutxieneko kutsadura.


VeTek Semiconductor GaN Epitaxial Graphite Susceptor-en ezaugarri nagusiak G5-rako:

-Hai purutasuna: Suscoldor grafito oso garbia da CVD estaldurarekin, gero eta Gan Ganen kutsadura minimizatuz.

-Erraldun termikoko eroankortasuna: grafitoaren eroankortasun termiko altua (150-300 w / (m · k)) tenperatura banaketa uniformea ​​bermatzen du suscoltzailearen inguruan, Gan Filmaren hazkunde koherentea lortuz.

-Dilatazio termiko baxua: suszeptorearen hedapen termiko baxuaren koefizienteak estres termikoa eta pitzadura gutxitzen ditu tenperatura altuko hazkuntza-prozesuan.

-Inertetasun kimikoa: Grafitoa kimikoki inertea da eta ez du erreakzionatzen GaN aitzindariekin, hazitako filmetan nahi ez diren ezpurutasunak saihestuz.

-Aixtron G5-rekin bateragarritasuna: susceptor Aixtron G5 MOCVD sisteman erabiltzeko bereziki diseinatuta dago, egokitze eta funtzionaltasun egokia bermatuz.


Aplikazioak:

Distira handiko LEDak: Gan oinarritutako LEDek eraginkortasun handia eta bizitza luzea eskaintzen dute, argiztapen orokorra, automobilgintzako argiztapen eta aplikazioetarako aproposak bihurtuz.

Potentzia handiko transistoreak: GaN transistoreek errendimendu handiagoa eskaintzen dute potentzia-dentsitateari, eraginkortasunari eta kommutazio-abiadurari dagokionez, potentzia elektronika aplikazioetarako egokiak izanik.

Laser diodoak: GaN-en oinarritutako laser diodoek eraginkortasun handia eta uhin-luzera laburrak eskaintzen dituzte, biltegiratze optikorako eta komunikazio aplikazioetarako aproposak izanik.


GaN Epitaxial Graphite Susceptor-ren produktu-parametroa G5-rako

Grafito isostatikoen propietate fisikoak
Jabetza Unitate Balio tipikoa
Solteko Dentsitatea g/cm³ 1.83
Gogortasuna Hgs 58
Erresistentzia elektrikoa μΩ.m 10
Flexur Indarra Mpa 47
Indar konpresiboa Mpa 103
Trakzio Erresistentzia Mpa 31
Gazteen Modulua GBA 11.8
Hedapen termikoa (CTE) 10-6K-1 4.6
Eroankortasun termikoa W · m-1· K-1 130
Aleen batez besteko tamaina μm 8-10
Porositatea % 10
Errautsaren edukia ppm ≤10 (araztu ondoren)

Oharra: estaldura aurretik, lehen arazketa egingo dugu, estalduraren ondoren, bigarren arazketa egingo dugu.


CVD SIC estalduraren oinarrizko propietate fisikoak
Jabetza Balio tipikoa
Kristal Egitura FCC β Fase polikzistalina, batez ere (111) orientatuta
Dentsitate 3,21 g/cm³
Gogortasuna 2500 Vickers gogortasuna (500 g karga)
Alearen tamaina 2~10μm
Garbitasun kimikoa % 99.99995
Bero Ahalmena 640 j · kg-1· K-1
Sublimazio-tenperatura 2700 ℃
Flexur Indarra 415 MPa RT 4 puntu
Gazteen Modulua 430 GPA 4pt bihurgunea, 1300 ℃
Eroankortasun termikoa 300W · m-1· K-1
Hedapen termikoa (CTE) 4,5 × 10-6K-1


Konparatu erdieroaleen ekoizpen denda:

VeTek Semiconductor Production Shop


Hot Tags: Gan grafito epitaxialen laguntza g5
Lotutako Kategoria
Bidali kontsulta
Harremanetarako informazioa
Siliziozko karburozko estaldurari, tantaliozko karburozko estaldurari, grafito bereziari edo prezioen zerrendari buruzko kontsultak egiteko, utzi zure posta elektronikoa eta 24 orduko epean jarriko gara harremanetan.
Lotutako produktuak
8 hazbeteko erdibideko zati bat LPE erreaktorearentzat
8 hazbeteko erdibideko zati bat LPE erreaktorearentzat Gehiago ikusi >>
Silizio karburoa epitaxia wafer garraiatzailea
Silizio karburoa epitaxia wafer garraiatzailea Gehiago ikusi >>
Goiko erdia sic estalitako zatia
Goiko erdia sic estalitako zatia Gehiago ikusi >>
Ultra grafito hutsa beheko erdia
Ultra grafito hutsa beheko erdia Gehiago ikusi >>
AIXTRON G5 MOCVD Susceptors
AIXTRON G5 MOCVD Susceptors Gehiago ikusi >>
Wafer igogailua pin
Wafer igogailua pin Gehiago ikusi >>
Albisteen Gomendioak
Italiako LPEren 200 mm SiC epitaxial teknologiaren aurrerapena
Italiako LPEren 200 mm SiC epitaxial teknologiaren aurrerapenaGehiago ikusi >>
Porous Tantalum Carbide: SIC kristal hazkuntzarako materialen belaunaldi berria
Porous Tantalum Carbide: SIC kristal hazkuntzarako materialen belaunaldi berriaGehiago ikusi >>
Lurrun-deposizio fisikoaren (PVD) estalduraren printzipioak eta teknologia (2/2) - VeTek Semiconductor
Lurrun-deposizio fisikoaren (PVD) estalduraren printzipioak eta teknologia (2/2) - VeTek SemiconductorGehiago ikusi >>
Grafito porotsuak nola hobetzen du silizio karburo kristalaren hazkundea?
Grafito porotsuak nola hobetzen du silizio karburo kristalaren hazkundea?Gehiago ikusi >>
Zer da Silicon Carbide Kristalaren hazkundea?
Zer da Silicon Carbide Kristalaren hazkundea?Gehiago ikusi >>
Zenbat dakizu CVD sic-ri buruz? - Vetek erdieroalea
Zenbat dakizu CVD sic-ri buruz? - Vetek erdieroaleaGehiago ikusi >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept