Purutasun handiko feltro zurruna

SIC hazkunde epitaxiala substratu baten gainazalean kalitate handiko silizio karburo meheak hazteko teknologia da. Prozesu hau ezinbestekoa da errendimendu handiko silikoko karburo erdieroaleen gailuak fabrikatzeko, hala nola silizio karburoen gailuak eta silikoko karburo RF gailuak. Prozesu honetan, hazkunde ingurunean, tenperatura, gas-fluxua, presioa eta bestelako parametroak barne, kontrolatu behar da kalitate handiko silizio karburoen hazkundea ziurtatzeko, propietate elektriko onekin. SIC Coatig Grafito piezak SIC hazkunde epitaxialaren oinarrizko osagaia da, eta purutasun zurruna da, batez ere, SIC Coatig erdiko grafitoaren piezak berotzeko beroa zaintzeko rola betetzen du.

Garbitasun handiko feltro zurrunak eroankortasun termiko ona du, berogailu-iturriaren beroa uniformeki banatu dezake SiC coatig Halfmoon grafitozko piezen inguruan eta beroa kontserbatzeko efektu ona du. SiC epitaxial hazkuntzan, beroa xurga dezake eta poliki-poliki askatu dezake tokiko gainberotzea edo gehiegizko hoztea ekiditeko, silizio karburoko substratuaren gainazaleko tenperatura-aldea oso tarte txikian kontrolatu dadin eta tenperatura-uniformitatea normalean ±1 irits daiteke. - 2 ℃, oso garrantzitsua da lodiera uniformea ​​eta propietate elektriko koherenteak dituen silizio karburoko epitaxia geruza bat hazteko.

Gas korrosibo batzuk, hala nola silanoa (SiH4) eta propanoa (C3H8), erreakzio-iturri gas gisa erabiltzen dira SiC hazkunde epitaxialean. Garbitasun handiko feltro zurrunak tolerantzia ona du gas kimiko horiekiko, eta bere egitura-osotasuna mantendu dezake hazkunde epitaxialaren ziklo osoan (ordu edo dozenaka ordu iraun dezake). Eta purutasun handiko feltro zurrunaren purutasuna % 99,99tik gorakoa da, eta ez ditu geruza epitaxiala kutsa dezaketen substantziarik askatuko erreakzio-ingurunean, horrela silizio karburo epitaxialaren garbitasun handia bermatuz.

Dentsitate egokiak purutasun handiko feltro zurrunaren erresistentzia mekanikoa eta eroankortasun termikoa berma ditzake. Eroankortasun termikoa bermatzen duen bitartean, SiC epitaxiaren hazkundean kanpoko faktoreen interferentziak minimiza ditzake.

Zeramikazko material tradizionalekin eta metalezko materialekin alderatuta, purutasun handiko grafitozko feltro zurrunak eroankortasun termiko eta egonkortasun kimiko hobea ditu, eta SiC epitaxial hazkunderako osagai laguntzaile bikaina da.

Txinako Purutasun Handiko Hornitzailea eta fabrika, pertsonalizatutako produktuak eskaintzen ditu, materialak edo produktuaren tamaina ematen duen, zuretzat neurrira egin daiteke, Vetek erdieroaleak aspalditik konpromisoa hartu du Felt Feltroko Teknologia Zurrunkorra emateko eta produktuen soluzioak erdieroaleen industriarako. Zintzotasunez espero dugu zure epe luzeko bikotea Txinan bihurtzea.

VeTek Semiconductor Puritate handiko feltro zurrunak ekoizteko dendak: