SiC estalitako grafito susceptor MOCVDrako

VeTek Semiconductor-en SiC Coated Graphite Susceptor MOCVD-rako purutasun handiko SiC estalitako grafito-eramailea da, obleen txipetan geruza epitaxiala hazteko bereziki diseinatua. MOCVD prozesatzeko osagai zentral gisa, normalean engranaje edo eraztun baten itxura duen, beroarekiko eta korrosioarekiko erresistentzia paregabea du, muturreko inguruneetan egonkortasuna bermatuz.

Mocvd SiC estalitako grafito susceptoraren ezaugarri nagusiak:

● Lausatutako estaldura: SiC estaldura uniformea ​​bermatzen du gainazal guztietan, partikulak askatzeko arriskua murriztuz

●   Tenperatura handiko oxidazio-erresistentzia bikainace: Egonkorra izaten jarraitzen du 1600°C-ko tenperaturan

●   Garbitasun handia: CVD lurrun-deposizio kimikoaren bidez fabrikatua, tenperatura altuko klorazio-baldintzetarako egokia

●   Korrosioarekiko erresistentzia handia: Erresistentzia handia azido, alkali, gatz eta erreaktibo organikoekiko

●   Aire-fluxu laminarraren eredu optimizatua: Aire-fluxuaren dinamikaren uniformetasuna hobetzen du

●   Banaketa Termiko Uniformea: Tenperatura handiko prozesuetan bero-banaketa egonkorra bermatzen du

● Kutsatzeko prebentzioa: Kutsatzaileen edo ezpurutasunen hedapena eragozten du, obleen garbitasuna bermatuz

Vetek erdieroaleetan, kalitate estandar zorrotzak betetzen ditugu, produktu eta zerbitzu fidagarriak gure bezeroei entregatzen. Premium materialak soilik hautatzen ditugu, industriaren errendimenduaren baldintzak betetzen eta gainditzen ahalegintzen gara. MOCVD-ren gure SIC estalitako grafitoa kalitatearekin konpromiso hori bereganatzen du. Jar zaitez gurekin harremanetan zure wafer prozesatzeko beharrak nola babestu dezakegun jakiteko.

CVD SIC FILM KRISTAL EGITURA:

CVD SiC estalduraren oinarrizko propietate fisikoak:

VeTek Semiconductor Mocvd SiC estalitako grafito-hartzailea: