MOCVD Teknologia

VeTek Semiconductor-ek abantaila eta esperientzia ditu MOCVD Teknologia ordezko piezen arloan.

MOCVD, Metal-Organic Chemical Vapor Deposition izen osoa (metal-organic Chemical Vapor Deposition), metal-organiko-lurrun-fasearen epitaxia ere dei daiteke. Konposatu organometalikoak metal-karbono loturak dituzten konposatu klase bat dira. Konposatu hauek gutxienez lotura kimiko bat dute metal baten eta karbono atomo baten artean. Konposatu metal-organikoak aitzindari gisa erabili ohi dira eta substratuan film meheak edo nanoegiturak sor ditzakete deposizio-teknika ezberdinen bidez.

Metal-organiko kimiko lurrun-deposizioa (MOCVD teknologia) hazkuntza epitaxialaren teknologia ohikoa da, MOCVD teknologia oso erabilia da erdieroaleen laser eta ledak fabrikatzeko. Batez ere ledak fabrikatzean, MOCVD galio nitruroa (GaN) eta erlazionatutako materialak ekoizteko funtsezko teknologia da.

Epitaxia bi forma nagusi daude: fase likidoaren epitaxia (LPE) eta lurrun fasearen epitaxia (VPE). Gas-fasearen epitaxia lurrun-deposizio kimiko-organiko metalikoan (MOCVD) eta izpi molekularren epitaxia (MBE) bereiz daitezke.

Atzerriko ekipamenduen fabrikatzaileak Aixtronek eta Veecok ordezkatzen dituzte batez ere. MOCVD sistema laserrak, ledak, osagai fotoelektrikoak, potentzia, RF gailuak eta eguzki-zelulak fabrikatzeko funtsezko ekipamenduetako bat da.

Gure enpresak fabrikatutako MOCVD teknologiako ordezko piezen ezaugarri nagusiak:

1) Dentsitate handia eta kapsulatze osoa: grafitoaren oinarria, oro har, tenperatura altuan eta lan-ingurune korrosiboan dago, gainazala guztiz bilduta egon behar da eta estaldurak dentsifikazio ona izan behar du babes rol ona izateko.

2) Gainazaleko lautasun ona: kristal bakarreko hazkuntzarako erabiltzen den grafitoaren oinarriak gainazaleko lautasun oso handia behar duelako, estaldura prestatu ondoren oinarriaren jatorrizko lautasuna mantendu behar da, hau da, estaldura geruza uniformea ​​izan behar du.

3) Lotura-indarra ona: Murriztu grafito-oinarriaren eta estaldura-materialaren arteko hedapen termikoaren koefizientearen aldea, eta horrek bien arteko lotura-indarra hobetu dezake, eta estaldura ez da erraza pitzatzen tenperatura altuko eta baxuko beroa jasan ondoren. zikloa.

4) Eroankortasun termiko handia: kalitate handiko txiparen hazkundeak grafitoaren oinarriak bero azkarra eta uniformea ​​ematea eskatzen du, beraz, estaldura-materialak eroankortasun termiko handia izan behar du.

5) Urtze-puntu altua, tenperatura altuko oxidazio-erresistentzia, korrosioarekiko erresistentzia: estaldurak tenperatura altuko eta lan-ingurune korrosiboetan egonkor funtzionatzeko gai izan behar du.

Jarri 4 hazbeteko substratua
LED hazteko epitaxia urdin-berdea
Erreakzio-ganberan kokatuta
Ostiarekin harreman zuzena Jarri 4 hazbeteko substratua
UV LED film epitaxiala hazteko erabiltzen da
Erreakzio-ganberan kokatuta
Ostiarekin harreman zuzena Veeco K868/Veeco K700 Makina
LED epitaxia zuria/LED epitaxia urdin-berdea VEECO ekipoetan erabiltzen da
MOCVD Epitaxirako
SiC estaldura susceptor Aixtron TS Ekipamendua
Epitaxia Ultramore sakona
2 hazbeteko substratua Veeco Ekipamendua
LED Gorri-Horia Epitaxia
4 hazbeteko obleen substratua TaC estalitako susceptor
(SiC Epi/ UV LED hargailua) SiC estalitako susceptor
(ALD/ Si Epi/ LED MOCVD susceptor)