Nola prestatu CVD TAC estaldura? - Vetekemicon

Zer da CVD TAC estaldura?

CVD TAC estalduraTenperatura handiko egiturazko material garrantzitsua da, indar, korrosioarekiko erresistentzia eta egonkortasun kimiko ona duena. Bere urtze-puntua 3880 ℃ bezain altua da, eta tenperatura erresistentea den konposatu altuenetakoa da. Tenperatura handiko propietate mekaniko bikainak ditu, abiadura handiko aire-fluxuen higaduraren erresistentzia, ablazioarekiko erresistentzia eta bateragarritasun kimiko eta mekaniko ona grafitoa eta karbono / karbono konposatuekin.

Beraz, horretanMOCVD epitaxial prozesuagan leds eta sic potentzia gailuak,CVD TAC estalduraAzido eta alkaliko erresistentzia bikaina du H2, HC1 eta NH3, grafito matrize materiala erabat babestu eta hazkunde ingurunea erabat babestu dezakeena.

CVD TAC estaldura 2000. urtetik gorako egonkorra da oraindik, eta CVD Tac estaldura 1200-1400 ℃ deskonposatzen hasten da, eta horrek ere asko hobetuko du grafito matrizearen osotasuna. Erakunde handiek CVDa erabiltzen dute CVD TAC estaldura grafitoen azpiataletan prestatzeko eta are gehiago hobetuko da CVD TAC estalduraren ekoizpen ahalmena SIC gailuen beharrizanak eta gangleds epitaxial ekipamenduak betetzeko.

CVD Tantalum karburoaren estalduraren prestaketa baldintzak

CVD TAC estalduraren prestaketa prozesuak, oro har, dentsitate handiko grafitoa erabiltzen du substratu material gisa, eta akatsik gabekoa prestatzen duCVD TAC estalduragrafito gainazalean CVD metodoaren bidez.

CVD TAC estaldura prestatzeko CVD metodoaren errealizazio prozesua honako hau da: lurruntzeko ganberan kokatutako tantalum iturri solidoak gas-tenperaturan sublimatzen du eta lurruntzeko ganberatik kanpo geratzen da Ar garraiolaren gasaren fluxu-tasa baten bidez. Tenperatura jakin batean, Tantalum iturri gaseosoak hidrogenoarekin nahasten du eta murrizteko erreakzioa jasateko. Azkenik, tantalum elementu murriztua grafito substratuaren gainazalean gordetzen da deposizio ganberan, eta karbonizazio erreakzioa tenperatura jakin batean gertatzen da.

Lurrun-tenperatura, gasaren fluxu tasa eta deposizio tenperatura, hala nola, prozesuaren parametroak, CVD TAC estalduraren prozesuan deposizio-tenperatura oso garrantzitsua da eratzeanCVD TAC estaldura. eta CVD Tac-ek orientazio mistoa duen estaldura kimikoko lurzoru isotermikoarekin prestatu zen 1800 ºC-tan TACL5-H2-AR-C3H6 sistema erabiliz.

CVD TAC estaldura prestatzeko prozesua

1. irudian, Vapor Kimikoen gordailuen (CVD) erreaktorearen konfigurazioa eta TAC gordailurako lotutako gasaren entrega sistema.

2. irudian CVD TAC estalduraren azalera-azaleraren azalera handitze desberdinetan erakusten da, estalduraren dentsitatea eta aleen morfologia erakusten dituena.

3. irudian CVD TAC estalduraren azaleraren morfologia erakusten da erdiko eremuan ablazioaren ondoren, gainazalean eratutako oxido urtu lausoak eta fluidoak.

4. irudian, CVD TAC estalduraren XRD ereduak hainbat arlotan erakusten dira ablazioaren ondoren, ablazio produktuen konposizio fasea aztertuz, batez ere β-ta2o5 eta α-ta2o5 dira batez ere.