Produktuak

VeTek Semiconductor purutasun handiko silizio karburoa (SiC) hautsa SiC kristalen hazkunderako, material erdieroaleetarako eta zeramikazko aplikazio aurreratuetarako bereziki garatu da. Purifikazio-teknologia aurreratuaren eta kalitate-kontrol zorrotzaren bidez, gure SiC hautsak ezpurutasun maila oso baxuak, partikulen banaketa egonkorra eta koherentzia bikaina eskaintzen ditu fabrikazio-prozesu zorrotzetarako.

SiC PVT kristal hazteko konfigurazioetan, grafitozko piezak oso tenperatura altuetan exekutatzen dira epe luzez. VeTek-en PyC estalitako grafitozko eraztuna zeregin horretarako eraikita dago. Karbono pirolitikoko geruza bat purutasun handiko grafitoan metatzen da CVD bidez. Honek piezari gainazaleko egonkortasun hobea ematen dio eta funtzionamenduan zehar irteten diren partikula gutxiago. Normalean eremu termikoaren eremuan jartzen duzu lurrun-fluxua kudeatzen laguntzeko eta beroa labearen barruan nola hedatzen den. Estaldurak ere grafitoaren sublimazioa moteltzen du gauzak 2200 °C-tik gora doazenean, eta horrek osagai osoa gehiago irauten du.

Obleen jarraipen-eremua inguratzeko diseinatua, Solid SiC Focus Ring-ek plasma banaketa lineala eta ertzetik erdiguneko grabaketa-profil zehatzak bermatzen ditu. β-SiC osagai premium hauek Vetek Semiconductor-ek (Wuyi Tianyao New Material Technology Co., LTD) eraikitzen ditu Lurrun Kimikoen Deposizio (CVD) teknologia jabeduna erabiliz. Lehengaiak aglutinatzailerik gabeko matrize trinko batean lurrunduz, Vetek-ek material zaharretan ohikoak diren mikro-hutsune porotsuak ezabatzen ditu. Kuartzo edo siliziozko blindaje estandarrekin alderatuta, gure CVD SiC osagaiek askoz hobeto jasaten dute gas halogeno korrosiboen aurrean, ostia 7nm azpiko logika sakonean eta memoria txip fabrikazio trinkoan babesten dute.

VeTek-en AMAT 0200-03201 Wafer Lift Pin hau purutasun handiko grafitoarekin hasten da, ondoren CVD SiC estaldura trinkoa gehitzen dugu gainean. 300 mm-ko epitaxia sistemetarako eta Applied Materials EPI erreaktoreetarako egina dago. Zergatik grafitoa eta SiC? Grafitoak beroa oso ondo maneiatzen du. SiC geruzak gas korrosiboak hartzen ditu eta ez da azkar higatzen. Horma mehearen diseinua? Hori da obleak altxatzeko eta kokatzea garbiagoa izateko, partikula gutxiago eta piezaren bizitza luzeagoa tenperatura altuetan. SiC estalitako grafitozko piezak ere egiten ditugu ASM, Aixtron eta LPE sistemetarako. Zure kontsultaren zain.

Vetek Semiconductor-ek VEECO MOCVD sistemetarako obleak egiten ditu, GaN LEDak, LED urdin-berdeak eta UV LED hazkunde sakona bezalako LED epitaxia lanetarako bereziki eraikiak. Eramaile hauek purutasun handiko grafitoarekin hasten dira eta CVD silizio karburozko (SiC) estaldura trinkoa lortzen dute. Konbinazio horrek ondo eusten du MOCVDn ikusten dituzun tenperatura altuetan: egonkortasun termiko ona, korrosioarekiko erresistentzia eta estaldurak irauten du.

Halfmoon LPE SiC erreaktoreen barruan erabiltzen den grafito-osagai bat da, batez ere ganbera-gune beroaren inguruan instalatuta. Oblearekin zuzenean harremanetan jartzen ez den arren, hazkuntza epitaxialean zehar gas-fluxuaren egonkortasunean eta erreaktorearen funtzionamenduan funtzionatzen du. Tenperatura altuko eta prozesu erreaktiboen baldintzak kudeatzeko, osagaia CVD SiC estaldurarekin babesten da normalean, eta TaC estaldura aplikazio batzuetarako ere eskuragarri dago. VETEK-ek grafitozko feltroen isolamendua eta estalitako grafitozko beste pieza batzuk ere hornitzen ditu SiC epitaxi sistemetarako.