Produktuak

Produktuak

View as  
 
Aixtron G10 SiC erreaktore planetario solidoaren osagaiak

Aixtron G10 SiC erreaktore planetario solidoaren osagaiak

VeTek Semiconductor-en Aixtron G10-SiC plataformarako Solid SiC osagarriak purutasun handiko eta guztiz trinkozko silizio-karburozko osagaiak dira, SiC epitaxiaren hazkundearen ingurune termiko eta kimiko zorrotzerako diseinatuta. Pieza hauek tenperatura altuko egonkortasuna, erresistentzia kimikoa eta partikula oso baxua sortzea eskaintzen dute, potentzia-gailuen fabrikazioan erabiltzen den errendimendu handiko 9 × 150 mm / 6 × 200 mm-ko erreaktore planetarioaren konfigurazioa onartzen dutenak.
CVD SiC Estaldura Grafito Piezen Garbiketa Zerbitzua

CVD SiC Estaldura Grafito Piezen Garbiketa Zerbitzua

VETEK Garbiketa Zerbitzu Profesionala CVD SiC Coated Graphite Piezen Aixtron / Veeco MOCVD ekipoen susceptor eta GaN / AlN / AlGaN prozesu epitaxialetan erabiltzen diren grafito osagaietarako diseinatutako zerbitzu tekniko espezializatua da. Gure jabedun garbiketa-prozesuak gainazaleko memoria-efektua guztiz ezabatzen du, erreaktorean gas-fluxu egonkorra berreskuratzen du eta 100 µm CVD SiC estaldura zorrotz babesten du, lodiera-galera erabateko zeroarekin eta zero metal-hondakinarekin.
CVD SiC estalitako grafito susceptor Wafer Carrierrako

CVD SiC estalitako grafito susceptor Wafer Carrierrako

VETEK CVD SiC Coated Graphite Susceptor for Wafer Carrier errendimendu handiko obleen euskarri osagaia da, erdieroaleen epitaxia prozesuetarako diseinatua. Produktuak purutasun handiko grafitoa erabiltzen du substratu gisa eta CVD silizio karburozko (SiC) geruza uniforme batez estalita dago, egonkortasun termiko bikaina, erresistentzia kimikoa eta partikulen kontrol bikaina eskaintzen duena. Grafitoaren osagai kritiko gisa, erreakzio-ganberaren barruko obleak zuzenean onartzen ditu eta tenperatura banaketa uniformea ​​eta hazkunde epitaxial-baldintza egonkorrak mantentzen laguntzen du.
Garbitasun handiko SiC hautsa SiC Crystal Hazkuntzarako

Garbitasun handiko SiC hautsa SiC Crystal Hazkuntzarako

VeTek Semiconductor-ek goi-mailako purutasun handiko silizio-karburoa (SiC) hautsa eskaintzen du errendimendu handiko SiC Crystal Growth (PVT prozesu), erdieroaleen substratuaren ekoizpenerako eta zeramika funtzional aurreratuetarako bereziki egokituta. Garbitasun ultra-garbiaren teknologiaren bidez prozesatua, gure purutasun handiko SiC lehengaiak aztarna-metal maila oso baxuak, sublimazio-errendimendu erreproduzigarria eta lote batetik bestera kalitate oso koherentea eskaintzen ditu erdieroaleen fabrikazio-eskakizun zorrotzak betetzeko.
Garbitasun handiko Quartz Wafer Boat TEL

Garbitasun handiko Quartz Wafer Boat TEL

VETEK High Purity Quartz Wafer Boat TEL erdieroaleen ekipamendurako erdieroale-mailako kuartzozko materialarekin fabrikatzen da eta obleak manipulatzeko diseinatuta daude tenperatura altuko prozesuetan, hala nola difusioa, oxidazioa, errekostea eta CVD. Egonkortasun termiko bikainarekin, erresistentzia kimikoarekin eta kutsadura baxuko ezaugarriekin, obleen euskarri fidagarria eskaintzen du erdieroaleen fabrikazio aplikazioetarako.
Tantalo Karburo Porotsua (TaC) Estalitako Grafito Eraztuna

Tantalo Karburo Porotsua (TaC) Estalitako Grafito Eraztuna

VETEK Porous TaC Coated Graphite Ring osagai termiko bat da, SiC kristal bakarreko hazkuntzarako diseinatutako PVT (Physical Vapor Transport) prozesuaren bidez. Garbitasun handiko grafito porotsuz ekoizten da eta tantalio karburoz (TaC) estalita dago CVD teknologia erabiliz. Diseinuak tenperatura altuko egonkortasuna, erresilientzia kimikoa eta eremu termiko kontrolatua du helburu. Kutsadura gutxituz eta prozesuaren koherentziari eusteaz, osagai honek SiC kristalen hazkuntzako emaitz erreproduzigarrietan laguntzen du.
X
Cookieak erabiltzen ditugu nabigazio esperientzia hobea eskaintzeko, guneko trafikoa aztertzeko eta edukia pertsonalizatzeko. Gune hau erabiltzean, gure cookieen erabilera onartzen duzu. Pribatutasun politika
BaztertuOnartu