Sic estalitako ogitarteko garraiatzailea

SIC estalitako ogitartekoaren aplikazio nagusia grabatzeko prozesurako

1. Gan Film hazkuntza eta LED fabrikazioan grabaketa

SIC estalitako garraiolariak (PSS grabaketa garraiatzailea) Sapphire substratuak (ereduzko zafiro substratua, PSS) LED ekoizpenean babesteko erabiltzen dira eta Gallium Nitride (GAN) filmak tenperatura altuetan. Garraiolaria, ondoren, grabazio prozesu bustia kentzen da, gainazaleko mikroegitura bat osatzeko, argi erauzketa eraginkortasuna hobetzeko.

Gako-rola: Garraiolariak 1600 ºC-ko tenperaturak jasan behar ditu eta plasma grabatzeko ingurunean korrosio kimikoa. Garbitasun altua (% 99,9995) eta SIC estalduraren dentsitateak metalezko kutsadura ekiditen du eta GAN filmaren uniformetasuna bermatzea.

2. Erdieroaleen plasma / lehortzeko prozesua

-AnICP (plasma biderkatua) grabatzea, SIC estalitako eramaileek bero banaketa uniformea ​​lortzen dute aire-fluxu optimizatuen diseinuaren bidez (esaterako, laminar fluxu modua), garbitasun-difusioa saihestea eta grabaketa zehaztasuna hobetu. Adibidez, Vetekemicon-en SIC estalitako ICP garraiatzailea 2700 ºC-ko tenperatura sublimazio tenperatura jasan dezake eta energia handiko plasma inguruneetarako egokia da.

3. Eguzki zelula eta potentzia gailua fabrikatzea

SIC eramaileek ondo funtzionatzen dute tenperatura handiko difusioan eta silikonazko ogien grabaketa eremu fotovoltaikoan. Hedapen termikoko koefiziente baxuak (4,5 × 10⁻⁶ / k) estres termikoek eragindako deformazioa murrizten dute eta zerbitzu-bizitza luzatzen du.

Ezaugarri fisikoak eta sic estalitako ogitartekoaren abantailak grabatzeko

1. Muturreko ingurunearekiko tolerantzia:

Tenperatura altuko egonkortasuna:Cvd sic estaldura1600 ºC-ko aire edo 2200 ºC-tan lan egin dezake denbora luzez, kuartzo tradizionala edo gerriko garraiolariak baino askoz ere handiagoa da.

Korrosioarekiko erresistentzia: SIC-ek azido, alkalis, gatz eta disolbatzaile organikoekiko erresistentzia bikaina du eta produktu erdieroaleentzako egokia da garbiketa kimikoarekin.

2. Propietate termikoak eta mekanikoak:

Erorketa termiko altua (300 w / mk): beroaren xahutze azkarrak gradiente termikoak murrizten ditu, waffer tenperatura uniformetasuna bermatzen du eta filmaren lodiera desbideratzea ekiditen du.

Indar mekaniko altua: flexio indarra 415 MP (giro-tenperatura) lortzen da, eta oraindik% 90eko indarra mantentzen du tenperatura altuan, garraiolari pitzadurak edo delaminazioa saihestuz.

Azalera akabera: SSIC (presio sinterizatutako silizio karburoa) gainazal zakarkeria baxua du (<0,1μm), partikulen kutsadura murriztuz eta obrearen errendimendua hobetzeko.

3. Material bat datorren optimizazioa:

Grafito substratuaren eta SIC estalduraren arteko hedapen termiko baxua: estaldura-prozesua egokituz (adibidez, gradientearen gordailua), interfazearen estresa murriztu egiten da eta estaldura peelingetik eragozten da.

Puritate altua eta akats baxuak: CVD prozesuak estaldura garbitasuna>% 99,9999 bermatzen du, prozesu sentikorren metalezko ioi kutsatzea saihestuz (SIC Power Device Fabrikazioa esaterako).

Orduanc CVD SIC estalduraren propietate fisikoak

CVD SIC estaldura filmaren kristal egitura

Vet sexicon dendak