Web menua

Produktuen bilaketa

Hizkuntza

Produktuak
TAC estalitako deflector eraztuna
  • TAC estalitako deflector eraztunaTAC estalitako deflector eraztuna
  • TAC estalitako deflector eraztunaTAC estalitako deflector eraztuna

TAC estalitako deflector eraztuna

Vetek erdieroalearen TAC estalitako deflector eraztuna oso espezializatutako osagaia da SIC Crystal Hazkunde Prozesuetarako diseinatua. TAC estaldurak tenperatura altuko erresistentzia bikaina eta inertasun kimikoa eskaintzen ditu, tenperatura altuak eta ingurune korrosiboak kristal hazkunde prozesuan aurre egiteko. Honek osagaien errendimendu egonkorra eta bizitza luzea bermatzen ditu, ordezkatzeko eta gelditzeko maiztasuna murriztuz. Kalitatezko produktuak prezio lehiakorretan eskaintzeko konpromisoa hartu dugu eta espero dugu zure epe luzeko bikotea China.welcome edozein unetan kontsultatzeko.
Bidali kontsulta 
Produktuaren Deskribapena

Vetek erdieroalea Txinako TAC estalitako deflector eraztun fabrikatzaile profesionala da eta hornitzailea. Osagai horiek funtsezkoak dira tenperatura altuko erresistentzia, aparteko iraunkortasuna eta paregabeko inertasun kimikorik behar duten inguruneetan.

TAC estalitako deflector eraztuna garbitasun handiko tantalum karburoetatik fabrikatzen da eta horrek eroankortasun termiko bikaina eta tenperatura altuak eta kolpe termikoa ditu. Osagaiaren TAC estaldurak babes geruza gehigarria eskaintzen du kristal hazkuntzan ohiko komunak eta ingurune gogorrak. Estalduraren presentziak osagaiaren iraunkortasuna eta bizitza areagotzen ditu, errendimendu koherenteak ziklo anitzetan mantentzen ditu.

TAC estalitako deflector eraztunak 2200 ºC-ko tenperatura jasan dezake. Tenperatura altuko prozesuetarako aproposa da. Ikerketa eta eskala industrialaren kristalen hazkunde erreaktoreentzat egokia da.


TAC estalitako deflector eraztunaren produktuaren parametroa

TAC estalduraren propietate fisikoak
Dentsitate 14.3 (g / cm³)
Berariazko emisibotasuna 0.3
Hedapen termiko koefizientea 6,3 × 10-6/ K
Gogortasuna (Hk) 2000 hk
Iraupen 1 × 10-5Ohm * cm
Egonkortasun termikoa <2500 ℃
Grafitoen tamaina aldaketak -10 ~ -20um
Estaldura lodiera ≥20UM balio tipikoa (35Um ± 10um)


Konparatu erdieroaleen ekoizpen denda:

VeTek Semiconductor Production Shop


Epitaxia Industria Katearen erdieroalearen ikuspegi orokorra:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


Hot Tags: TAC estalitako deflector eraztuna
Lotutako Kategoria
Bidali kontsulta
Harremanetarako informazioa
Siliziozko karburozko estaldurari, tantaliozko karburozko estaldurari, grafito bereziari edo prezioen zerrendari buruzko kontsultak egiteko, utzi zure posta elektronikoa eta 24 orduko epean jarriko gara harremanetan.
Lotutako produktuak
Tantalum karburo estalitako planetaren biraketa diskoa
Tantalum karburo estalitako planetaren biraketa diskoa Gehiago ikusi >>
Tantalo Karburoa Estalitako Halfmoon LPErako
Tantalo Karburoa Estalitako Halfmoon LPErako Gehiago ikusi >>
SiC Epitaxial Erreaktorerako TaC estalitako eraztuna
SiC Epitaxial Erreaktorerako TaC estalitako eraztuna Gehiago ikusi >>
Tantalum karburo estaldura estalkia
Tantalum karburo estaldura estalkia Gehiago ikusi >>
Tantalum karburo estalitako estalkia
Tantalum karburo estalitako estalkia Gehiago ikusi >>
Tantalum karburo estalitako chuck
Tantalum karburo estalitako chuck Gehiago ikusi >>
Albisteen Gomendioak
Zeintzuk dira grafito isotropikoaren eta silikonizatutako grafitoaren arteko desberdintasunak?
Zeintzuk dira grafito isotropikoaren eta silikonizatutako grafitoaren arteko desberdintasunak?Gehiago ikusi >>
SIC EPITAXIAL HAZKUNTZA LAGUNTZA ESKUBIDE TEKNIKOAK
SIC EPITAXIAL HAZKUNTZA LAGUNTZA ESKUBIDE TEKNIKOAKGehiago ikusi >>
Italiako LPEren 200 mm SiC epitaxial teknologiaren aurrerapena
Italiako LPEren 200 mm SiC epitaxial teknologiaren aurrerapenaGehiago ikusi >>
Tenperatura baxuko epitaxia teknologia oinarritzat hartuta
Tenperatura baxuko epitaxia teknologia oinarritzat hartutaGehiago ikusi >>
Txiparen fabrikazio prozesuaren azalpen osoa (1/2): Wafer-etik ontzira eta probetara
Txiparen fabrikazio prozesuaren azalpen osoa (1/2): Wafer-etik ontzira eta probetaraGehiago ikusi >>
Porous Tantalum Carbide: SIC kristal hazkuntzarako materialen belaunaldi berria
Porous Tantalum Carbide: SIC kristal hazkuntzarako materialen belaunaldi berriaGehiago ikusi >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept