Web menua

Produktuen bilaketa

Hizkuntza

Produktuak
Tantalo Karburoa Estalitako Halfmoon LPErako
  • Tantalo Karburoa Estalitako Halfmoon LPErakoTantalo Karburoa Estalitako Halfmoon LPErako
  • Tantalo Karburoa Estalitako Halfmoon LPErakoTantalo Karburoa Estalitako Halfmoon LPErako
  • Tantalo Karburoa Estalitako Halfmoon LPErakoTantalo Karburoa Estalitako Halfmoon LPErako

Tantalo Karburoa Estalitako Halfmoon LPErako

VeTek Semiconductor Tantalum Carbide Coated Halfmoon Part-en hornitzaile nagusia da Txinan LPErako, TaC estaldura teknologian arreta jarriz urte askotan. Gure LPErako tantaliozko karburo estalitako Halfmoon pieza fase likidoko epitaxia prozesurako diseinatuta dago eta 2000 gradu Celsius baino gehiagoko tenperatura altua jasan dezake. Materialen errendimendu bikainarekin eta prozesuen berrikuntzarekin, gure produktuaren bizitza industrian lider mailan dago. VeTek Semiconductor-ek zure epe luzerako bazkide izatea espero du Txinan.
Bidali kontsulta
Produktuaren Deskribapena

Fabrikatzaile profesionala den heinean, VeTek Semiconductor-ek kalitate handiko tantalio-karburoa estalitako Halfmoon LPErako eskaini nahi dizu.

VeTek Semiconductor Txinako SiC, TaC estaldura, SiC solido fabrikatzaile liderra da, kalitate handiko eta arrazoizko prezioarekin. Gure tantaliozko karburo estalitako Halfmoon LPErako piezak epitaxia ekipo horizontal eta bertikalen erreakzio-ganberan erabiltzen dira substratua, tenperatura kontrola, beroa eramateko. kontserbazioa, aireztapena, babesa eta beste funtzio batzuk, SiC epitaxia geruzaren hazkundearen lodiera, dopina, akatsak eta beste material ezaugarri batzuk elkarrekin kontrolatzeko. erreakzio-ganberaren barruan.

VeTek Semiconductor erlazionatutako produktuak: goiko erdia, beheko erdia, babes-estalkia, isolamendu-estalkia, prozesuko airea desbideratzeko interfazea. Gure konpainiak konpromisoa hartzen du bezeroei erreakzio-ganbera SiC estalitako eta TaC estalitako osagaien soluzio sorta osoa eskaintzeko.


LPErako Tantalum Carbide Coated Halfmoon Part-aren produktu-parametroa

TaC estalduraren propietate fisikoak
Dentsitatea 14,3 (g/cm³)
Emisio espezifikoa 0.3
Dilatazio termikoaren koefizientea 6,3×10-6/K
Gogortasuna (HK) 2000 HK
Erresistentzia 1×10-5Ohm*cm
Egonkortasun termikoa <2500℃
Grafitoaren tamaina aldatzen da -10~-20um
Estalduraren lodiera ≥20um balio tipikoa (35um±10um)


VeTek erdieroaleen ekoizpen-denda:

VeTek Semiconductor Production Shop


Txip erdieroaleen epitaxia industria-katearen ikuspegi orokorra:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


Hot Tags: Tantalum Carburo estalitako Halfmoon LPErako pieza, Txina, fabrikatzailea, hornitzailea, fabrika, pertsonalizatua, erosi, aurreratua, iraunkorra, Txinan egindakoa
Lotutako Kategoria
Bidali kontsulta
Harremanetarako informazioa
Siliziozko karburozko estaldurari, tantaliozko karburozko estaldurari, grafito bereziari edo prezioen zerrendari buruzko kontsultak egiteko, utzi zure posta elektronikoa eta 24 orduko epean jarriko gara harremanetan.
Lotutako produktuak
Tantalum karburo estalitako planetaren biraketa diskoa
Tantalum karburo estalitako planetaren biraketa diskoa Gehiago ikusi >>
SiC Epitaxial Erreaktorerako TaC estalitako eraztuna
SiC Epitaxial Erreaktorerako TaC estalitako eraztuna Gehiago ikusi >>
TAC estalitako deflector eraztuna
TAC estalitako deflector eraztuna Gehiago ikusi >>
Tantalum karburo estaldura estalkia
Tantalum karburo estaldura estalkia Gehiago ikusi >>
Tantalum karburo estalitako estalkia
Tantalum karburo estalitako estalkia Gehiago ikusi >>
Tantalum karburo estalitako chuck
Tantalum karburo estalitako chuck Gehiago ikusi >>
Albisteen Gomendioak
ALD geruza atomikoaren deposizio errezeta
ALD geruza atomikoaren deposizio errezetaGehiago ikusi >>
Silikonazko karburu porotsua (SIC) zeramikazko plakak: errendimendu handiko materialak erdieroaleen fabrikazioan
Silikonazko karburu porotsua (SIC) zeramikazko plakak: errendimendu handiko materialak erdieroaleen fabrikazioanGehiago ikusi >>
Produkzio masiboko fabrikatzaileei xurgapen-kopa elektrostatikoen fabrikazio prozesutik
Produkzio masiboko fabrikatzaileei xurgapen-kopa elektrostatikoen fabrikazio prozesutikGehiago ikusi >>
Lurrun-deposizio fisikoaren (PVD) estalduraren printzipioak eta teknologia (2/2) - VeTek Semiconductor
Lurrun-deposizio fisikoaren (PVD) estalduraren printzipioak eta teknologia (2/2) - VeTek SemiconductorGehiago ikusi >>
Substratu erdieroaleen oblea: Silizioaren, GaAs, SiC eta GaN-en materialaren propietateak
Substratu erdieroaleen oblea: Silizioaren, GaAs, SiC eta GaN-en materialaren propietateakGehiago ikusi >>
Italiako LPEren 200 mm SiC epitaxial teknologiaren aurrerapena
Italiako LPEren 200 mm SiC epitaxial teknologiaren aurrerapenaGehiago ikusi >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept