Veeco MOCVD Providence

Erdieroalena daVeeco mocvdWafer Suscardor osagai kritikoa da, ultrapure grafitoa erabiliz diseinatuaSilikonaren karburoa (sic) estaldura. HauSic estalduraAbantaila ugari eskaintzen ditu, batez ere substratuari transferentzia termiko eraginkorrena ahalbidetzen duena. Substratuan banaketa termiko optimoa lortzea ezinbestekoa da tenperatura kontrol uniformea ​​lortzeko, kalitate handiko film meheen gordailua bermatuz, funtsezkoa baita erdieroalearen gailuaren fabrikazioan.

Parametro teknikoak

Materialen propietateen matrizea

Gako adierazleak Vetek Standard Solutions Standard

Oinarrizko material garbitasuna 6n grafito isostatiko 5n moldeatutako grafitoa

CTE bat datorren titulua (25-1400 ℃) δα ≤0.3 × 10⁻⁶ / k α ≥1.2 × 10⁻⁶ / K

Eroankortasun termikoa @ 800 ℃ 110 w / m · k 85 w / m · k

Azaleko zimurtasuna (RA) ≤0.1μm ≥0.5μm

Azido tolerantzia (ph = 1 @ 80 ℃) 1500 ziklo 300 ziklo

Core Abantaila Berreraikuntza

Kudeaketa termikoaren berrikuntza

Atomic CTE bat datorren teknika

Japonia Toyo karbono grafitoa / sgl substratua + sic estaldura gradientea

Ziklo termikoaren estresa% 82 murriztu da (1400 ℃↔rt 500 ziklo neurtu ditu pitzadurarik gabe)

Eremu termikoaren diseinua

12 zunden tenperatura konpentsazio egitura: ± 0,5 ℃ uniformetasuna lortzen du φ200mm wafer-en gainazalean

Erantzun termiko dinamikoa: tenperatura gradientea ≤1.2 ℃ / cm 5 ℃ / s berotzeko tasa

Babes Kimikoko Sistema
Konposatu hiruko hesia

50μm SIC SIC babes geruza nagusia

Nanotac trantsizio geruza (aukerakoa)

Gas fasearen infiltrazioaren dentsifikazioa

ASTM G31-21 bidez egiaztatuta:

CL Base Korrosioaren tasa <0,003mm / Urtea

NH3 1000h-k eragindako aleak mugarik gabe

Fabrikazio sistema adimenduna

Twin digitalen tratamendua

Bost ardatzetako mekanizazio zentroa: posizioaren zehaztasuna ± 1,5μm

Lineako 3D eskaneatze ikuskapena:% 100 tamaina osoaren egiaztapena (ASME Y14.5-en arabera)

Eszenatokian oinarritutako balioaren aurkezpena

Hirugarren belaunaldiko erdieroaleen ekoizpena

Aplikazioaren agertokiko prozesuen parametroak Bezeroaren prestazioak

Gan Hemt 6 hazbeteko / 150μm Epitario bi dimentsiotako elektroi-gasaren dentsitatearen gorabehera <2% 2

SIC Mosfet C dopin uniformetasuna ±% 3ko atalasearen tentsio desbideratzea% 40 murriztu da

Mikro LED uhin-luzeraren uniformetasuna ± 1.2NM txip-ontziaren tasa% 15 igo da

Mantentze kostuen optimizazioa

Garbiketa epea 3 aldiz luzatzen da: hf: hn ₃ = 1: 3 intentsitate handiko garbiketa onartzen da

Ordezko piezak Bizitza iragarpen sistema: AI algoritmoaren zehaztasuna ±% 5

Vetek erdieroaleak Veoeco MOCVD Suscoldor dendak: