CVD TAC estalitako hiru petalo gida eraztuna

Silizio karburoa kristal substratu bakarreko materiala kristal material moduko bat da, Bandgap erdieroaleen material zabalari dagokiona. Tentsio handiko erresistentziaren, tenperatura altuko erresistentziaren abantailak ditu, maiztasun altua, maiztasun altua, galera baxua eta abar. Oinarrizko materiala da potentzia handiko potentzia gailu elektronikoak prestatzeko eta mikrouhin irrati maiztasuneko gailuak prestatzeko. Gaur egun, SIC kristalak hazteko metodo nagusiak lurrunaren garraio fisikoa (PVT metodoa), tenperatura handiko lurrun kimikoen gordailua (HTCVD metodoa), fase likidoaren metodoa, etab.

Vapor Fisical Transport (PVT) metodoa oso egokia da teknika oso egokia da eskala handiko industria ekoizpenerako. Prozesu honetan, SIC hazien kristal bat gurutzearen goiko aldean kokatzen da, eta SIC hautsa, lehengaia bezala zerbitzatzen da, beheko aldean. Ingurune itxi baten barruan tenperatura altuko eta presio baxuaren baldintzetan, SIC hautsak sublimatzen ditu. Tenperaturaren gradientearen eta kontzentrazioen aldaketek bultzatuta, espezie sublimatuak gorantz mugitzen dira haziaren kristaletik gertu. Estatu superatorratua lortzera, birziklalizazioa gertatzen da, hazitako SIC kristalen tamaina eta kristal mota zehatza kontrolatzeko aukera emanez.

CVD TAC estalitako hiru - petal gida eraztunak funtzio funtsezko anitz eskaintzen ditu. Batez ere, fluidoen mekanika hobetzen du gas-fluxua gidatuz, kristal hazkuntzaren eremua giro uniformea ​​dela ziurtatuz. Gainera, sic kristal hazkunde prozesuan beroa modu eraginkorrean xahutzen du. Tenperatura gradiente egokia mantenduz, SIC kristalen hazkunde baldintzak optimizatzen ditu eta tenperatura irregularraren banaketa eragindako kristal akatsak nahasten ditu.