Garbitasun handiko SiC hautsa SiC Crystal Hazkuntzarako

1. Ezaugarri nagusiak

· Garbitasun maila altuak:Garbitasun gaitasunak % 99,9999ra iristen dira (6N kalifikazioa).

· Ezpurutasun metaliko oso baxuak:SiC kristalen hazkuntzarako optimizatutako aztarna metalen kutsadura minimoa.

· Gardentasun osoa:GDMS (Glow Discharge Mass Spectrometry) probaren datu osoa lote bakoitzeko eskuragarri.

· Errendimendu termiko egonkorra:Sublimazio-jokaera oso aurreikusgarria eta uniformea ​​PVT hazkuntza-lanetan.

· Partikulen tamainaren banaketa kontrolatua:Granulometria arretaz kontrolatzen da ontzi-dentsitate koherentea mantentzeko.

· Egokitutako formulazioak:Partikula neurri pertsonalizatuak eta banaketa-kurbak eskuragarri daude eskaeran.

· Erdieroaleen Kalitate Araua:Zorrotz fabrikatutako erdieroaleen kalitatea kudeatzeko sistemetan.

2. Produktuen bisualak

3. Zehaztapen Teknikoak

4. Aplikazioak

· PVT SiC kristalaren hazkundea:SiC lingote eroaleak eta erdi isolatzaileak.

· Substratu erdieroaleak:Obleen substratua eta prozesatzeko epitaxiako lehengaia.

· Goi-mailako osagai termikoak:Zeramikazko osagai aurreratuak eta estaldura suszeptoreak.

· I+G aplikazioak:Hurrengo belaunaldiko potentzia elektronikaren ikerketa eta maiztasun handiko gailuak.

5. Zergatik aukeratu VeTek Semiconductor?

· Arazketa jabeduna:Arazte-teknika aurreratuak 6N-ko garbitasuna ematen dute kristal bakarreko hazkuntzarako.

· Kalitate Kontrol zorrotza:Kalitate-berme dedikatua erdieroaleen kalitateko kutsadura-kontrol zorrotzarekin.

· Pertsonalizazio malgutasuna:Partikulen neurri pertsonalizatu malgua, PVT labeko arragoaren zehaztapen desberdinetara egokitzeko.

· Hornikuntza-kate egonkorra:Hornikuntza-gaitasun fidagarria epe luzerako ekoizpen masiboko entrega egonkorra bermatzen duena.

· Gaitasun teknikoa:Zure kristalen hazkuntza prozesu espezifikoetara egokitutako laguntza tekniko osoa.