Garbitasun handiko silizio karburoa (SiC) hautsa

Ezaugarri nagusiak
• Garbitasuna % 99,9999ra igo daiteke, hau da, 6N

• Metalezko ezpurutasunak baxu mantentzen dira

• GDMS probaren datuak eskatuz gero eskuragarri daude

• Sublimazio-jokaera koherentea izaten jarraitzen du lote batetik bestera

• Prozesatzeko garaian kutsatzeko arrisku gutxiago

• Partikulen tamainaren banaketa kontrolatzen da

• Partikula tamaina pertsonalizatuak ere eska ditzakezu

• Kalitate kontrolak erdieroaleen kalitateko estandarrak jarraitzen ditu

Partikulen tamainaren barrutia:

Hauts purutasuna: 

Zehaztapen teknikoak:

Aplikazioak

• SiC kristal bakarreko hazkundea (PVT)

• SiC substratu eroaleak eta erdi-isolatzaileak

• Material erdieroaleak

• Zeramika Aurreratuak

• Ikerketa eta Garapena

Zergatik aukeratu VeTek Semiconductor?

• Arazketa teknologia aurreratua

• Erdieroaleen kalitatearen kontrola

• Partikulen tamainaren aukera pertsonalizatuak

• Hornidura egonkorra eta fidagarria

• Kristalak hazteko aplikazioetarako laguntza teknikoa