Berriak

Epitarxo labearen lan printzipioa tenperatura altuko eta presio altuko substratu batean material erdieroaleak gordetzea da. Silizioaren hazkunde epitaxiala kristal geruza bat haztea da, substratuaren orientazio berdina eta siliziozko kristalezko kristal bakarreko substratuaren inguruko lodiera desberdinak. Artikulu honek batez ere silizio epitaxial hazkunde metodoak aurkezten ditu: EPITAXIA EPITAXIA ETA EPITAXIA LIKIDOAREN FASEA.

Epaiketa kimikoen gordailua (CVD) erdieroaleen fabrikazioan zinema-material meheak ganbaran gordetzeko erabiltzen da, SiO2, bekatua eta abar barne, eta normalean erabilitako moten artean PECVD eta LPCVD dira. Tenperatura, presioa eta erreakzio gas mota egokituz, CVDk garbitasun altua, uniformetasuna eta zinema estaldura ona lortu ditu prozesuko eskakizun desberdinak betetzeko.

Artikulu honetan, batez ere, silizio karburo zeramikaren aplikazio aukera zabalak deskribatzen dira. Silizio karburo zeramikazko zeramikazko pitzadurak eta dagozkien soluzioen kausak aztertzea ere oinarritzen da.

Erdieroaleen fabrikazioko grabazio teknologiak maiz topatzen ditu kargatzeko efektua, mikro-zirrikitu efektua eta kargatzeko efektua, produktuaren kalitatean eragina dutenak. Hobekuntza-irtenbideak plasma dentsitatea optimizatzea da, erreakzio-gasaren konposizioa egokituz, hutsezko sistemaren eraginkortasuna hobetuz, zentzuzko litografia diseinua diseinatzea eta grabatzeko maskara materialak eta prozesuen baldintza egokiak hautatzea.

Sintering presio beroa da errendimendu handiko SIC zeramika prestatzeko metodo nagusia. Sintering sakatze beroaren prozesuak honako hauek ditu: purutasun handiko SIC hautsa hautatzea, tenperatura altuaren eta presio altuaren azpian moldatzea eta, ondoren, sintering. Metodo honek prestatutako SIC zeramikak garbitasun handiko eta dentsitate altuaren abantailak ditu eta oso erabiliak dira mahaigaineko tratamenduak eta bero tratamenduak egiteko.