Berriak

Tantalum Carbide (TAC) estaldurak oso erabiliak dira batez ere hazteko erreaktoreen osagaiak, tenperatura handiko hazkundearen osagai nagusiak, tenperatura handiko industria-osagaiak eta ogitartekoak. Tenperatura altuko erresistentzia bikaina eta korrosioarekiko erresistentzia hobetu dezake ekipoen iraunkortasuna, errendimendua eta kalitatea, energia kontsumoa murrizteko eta egonkortasuna hobetzeko.

SIC hazkunde epitaxial prozesuan, SIC estalitako grafito esekidura gutxiegitzea gerta daiteke. Artikulu honek SIC estalitako grafitoaren esekidura porrotaren azterketa zorrotza egiten du, batez ere bi faktore biltzen dituena: SIC Epitaraxial Gas Hutsegitea eta SIC estalduraren porrota.

Artikulu honetan dagozkien prozesuaren abantailak eta habe molekularreko epitaxia prozesuaren eta metalezko produktu kimikoen metalikoen desberdintasunak eztabaidatzen ditu.

Vetek erdieroalearen karburoa porotsua, SIC kristal hazkunde materialaren belaunaldi berri gisa, produktuaren propietate bikainak ditu eta funtsezko eginkizuna du prozesatzeko prozesatzeko teknologia ugari.

Epitarxo labearen lan printzipioa tenperatura altuko eta presio altuko substratu batean material erdieroaleak gordetzea da. Silizioaren hazkunde epitaxiala kristal geruza bat haztea da, substratuaren orientazio berdina eta siliziozko kristalezko kristal bakarreko substratuaren inguruko lodiera desberdinak. Artikulu honek batez ere silizio epitaxial hazkunde metodoak aurkezten ditu: EPITAXIA EPITAXIA ETA EPITAXIA LIKIDOAREN FASEA.

Epaiketa kimikoen gordailua (CVD) erdieroaleen fabrikazioan zinema-material meheak ganbaran gordetzeko erabiltzen da, SiO2, bekatua eta abar barne, eta normalean erabilitako moten artean PECVD eta LPCVD dira. Tenperatura, presioa eta erreakzio gas mota egokituz, CVDk garbitasun altua, uniformetasuna eta zinema estaldura ona lortu ditu prozesuko eskakizun desberdinak betetzeko.

Artikulu honetan, batez ere, silizio karburo zeramikaren aplikazio aukera zabalak deskribatzen dira. Silizio karburo zeramikazko zeramikazko pitzadurak eta dagozkien soluzioen kausak aztertzea ere oinarritzen da.

Erdieroaleen fabrikazioko grabazio teknologiak maiz topatzen ditu kargatzeko efektua, mikro-zirrikitu efektua eta kargatzeko efektua, produktuaren kalitatean eragina dutenak. Hobekuntza-irtenbideak plasma dentsitatea optimizatzea da, erreakzio-gasaren konposizioa egokituz, hutsezko sistemaren eraginkortasuna hobetuz, zentzuzko litografia diseinua diseinatzea eta grabatzeko maskara materialak eta prozesuen baldintza egokiak hautatzea.

Sintering presio beroa da errendimendu handiko SIC zeramika prestatzeko metodo nagusia. Sintering sakatze beroaren prozesuak honako hauek ditu: purutasun handiko SIC hautsa hautatzea, tenperatura altuaren eta presio altuaren azpian moldatzea eta, ondoren, sintering. Metodo honek prestatutako SIC zeramikak garbitasun handiko eta dentsitate altuaren abantailak ditu eta oso erabiliak dira mahaigaineko tratamenduak eta bero tratamenduak egiteko.

Silizio karburoa (SiC)-ren hazteko metodo nagusiak PVT, TSSG eta HTCVD dira, bakoitzak abantaila eta erronka desberdinak dituena. Karbonoan oinarritutako eremu termikoko materialek, esaterako, isolamendu sistemak, arragoa, TaC estaldurak eta grafito porotsua kristalen hazkundea hobetzen dute, egonkortasuna, eroankortasun termikoa eta garbitasuna eskainiz, funtsezkoak SiC-ren fabrikazio eta aplikazio zehatzerako.

SiC-k gogortasun, eroankortasun termiko eta korrosioarekiko erresistentzia handia du, erdieroaleen fabrikaziorako aproposa da. CVD SiC estaldura lurrun-jadapen kimikoen bidez sortzen da, eroankortasun termiko handia, egonkortasun kimikoa eta hazkuntza epitaxialerako sare-konstante bat eskaintzen duena. Bere hedapen termiko baxuak eta gogortasun handiak iraunkortasuna eta zehaztasuna bermatzen ditu, eta ezinbestekoa da obleen eramaileetan, aurrez berotzeko eraztunetan eta abar bezalako aplikazioetan. VeTek Semiconductor SiC estaldura pertsonalizatuetan espezializatuta dago industria-beharretarako.

Silicon Carbide (SIC) zehaztasun handiko material erdieroalearengatik da, tenperatura altuko erresistentzia, korrosioarekiko erresistentzia eta indar mekaniko handiko propietate bikainengatik. 200 kristal egitura baino gehiago ditu. 3C-SIC nabarmentzen da elektroi mugikortasun handiko mugikortasunagatik, motor elektronikoko elementuetarako aproposa bihurtuz. Gainera, potentzial handia erakusten du nanoelektronika, LED urdinak eta sentsoreetan.

Diamantea, laugarren belaunaldiko "azken erdieroale" potentziala, arreta pizten ari da erdieroaleen substratuetan, bere aparteko gogortasuna, eroankortasun termikoa eta propietate elektrikoak direla eta. Bere kostu altuak eta ekoizpen-erronkek erabilera mugatzen duten arren, CVD da hobetsitako metodoa. Dopina eta eremu zabaleko kristalen erronkak izan arren, diamanteak agintzen du.

SiC eta GaN banda zabaleko erdieroaleak dira, silizioarekiko abantailak dituztenak, hala nola matxura-tentsio handiagoak, kommutazio-abiadura azkarragoak eta eraginkortasun handiagoa. SiC hobea da tentsio handiko eta potentzia handiko aplikazioetarako, bere eroankortasun termiko handiagoa dela eta, GaN-k, berriz, maiztasun handiko aplikazioetan bikain egiten du elektroien mugikortasun handiari esker.

Elektroien habeen lurruntzea oso eraginkorra eta erabilitako estaldura metodoa da, erresistentzia berogailuaren aldean, lurruntzeko materiala elektroi batekin berotzen duena, film mehe batean lurrundu eta kondentsatuz gero.