Produktuak

Vetek erdieroalearen CVD SIC SIC SICak propietate bikainak ditu, hala nola, tenperatura altuko erresistentzia, korrosioarekiko erresistentzia, gogortasun handia eta hedapen termiko baxuko koefizientea, esaterako, erdieroaleen fabrikazioan. Txinako CVD SIC SIC Sei-fabrikatzaile eta hornitzaile gisa, Vetekeko erdieroaleak zure kontsulta espero du.

Vetek erdieroalea MOCVD-eko EPI Susceptor fabrikatzaile profesionala da Txinan. Gure MOCVD LED EPI Suscordor Epitarazio Ekipamendu Aplikazioak eskatzeko diseinatuta dago. Erosketa termiko altua, egonkortasun kimikoa eta iraunkortasuna funtsezko faktoreak dira hazkunde epitaxial prozesu egonkorra eta erdieroaleen zinema ekoizpena bermatzeko.

Ald Suscordor Sic estaldura euskarri atomikoko gordailuan (ALD) prozesuan berariaz erabiltzen den laguntza osagaia da. Ald ekipamenduetan funtsezko eginkizuna du, deposizio prozesuaren uniformetasuna eta zehaztasuna bermatuz. Uste dugu Ald Planetary susceptor produktuek kalitate handiko produktuen soluzioak ekar ditzakete.

Vetek erdieroalearen TAC estaldura hodia funtsezko osagaia da silizio karburo bakarreko kristalen hazkunde arrakastatsua lortzeko. Tenperatura altuko erresistentziarekin, inertutasun kimikoarekin eta errendimendu bikainarekin, kalitate handiko kristalen ekoizpena emaitza koherenteekin bermatzen du. Konfiantza ezazu gure irtenbide berritzaileak zure Pvt metodoa SIC kristal hazkunde prozesua hobetzeko eta emaitza bikainak lortzeko. Galdetu gaitzazu.

Vetek erdieroaleak SIC zeramikazko chuck porotsua eskaintzen du Wafer Tratamienzteko Teknologian, Transferitzeko eta Beste esteketan, lotzeko, eskuz idazteko, adabaki, leuntzeko eta bestelako estekak, laser prozesatzeko. Gure zeramikazko chuck porotsuak hutsezko adsortzio ultra-sendoa du, lautada altua eta garbitasun altuak industria erdieroale gehienen beharrak asetzen dizkigu.

VeTek Semiconductor-eko CVD SiC estalitako RTP suszeptoreak erdieroaleen fabrikazio osoan erabiltzen diren prozesatze termiko azkarra (RTP) eta erreadura termiko azkarra (RTA) ekipoak balio du. Substratua purutasun handiko grafito isostatikoz mekanizatzen da, eta horren gainean CVD silizio karburozko (SiC) geruza trinko bat jartzen da. Eraikuntza honek eroankortasun termiko handia, inertetasun kimiko sendoa eta dimentsio-egonkortasun iraunkorra ematen du tenperatura altuko ziklo errepikatupean.