Sic estalitako wafer titularra

VEtekeko erdieroalearen SIC estalitako omenez osatutakoa normalean ogiak konpontzeko eta laguntzeko erabiltzen da, erdieroaleen prozesamenduan. Errendimendu handia dawafer eramaileerdieroaleen fabrikazioan oso erabilia. Silizio karburo geruza bat (sic) estali ondorensistema, Produktuak modu eraginkorrean ekidin dezake substratua korrosiotik, eta okerreko garraiolariaren korrosioarekiko erresistentzia eta indar mekanikoa hobetzea, prozesatzeko prozesuaren egonkortasuna eta zehaztasun baldintzak bermatuz.

Sic estalitako wafer titularraNormalean ogiak konpontzeko eta laguntzeko erabiltzen da erdieroaleen prozesamenduan. Errendimendu handiko operadore bat da, erdieroaleen fabrikazioan oso erabilia. Geruza bat estali ondorenSilizio karburoa (sic)Substratuaren gainazalean, produktuak substratua korrosiotik eragin dezake eta korrosioarekiko erresistentzia eta indar mekanikoa hobetu ditzakeGarraiolaria, prozesatzeko prozesuaren egonkortasuna eta zehaztasun baldintzak bermatuz.

Silicon Carbide (SIC) 2.730 ºC inguruko urtze-puntua du eta 120 - 180 w / m inguruko eroankortasun termiko bikaina du. Jabetza honek beroa azkar xahutu dezake tenperatura handiko prozesuetan eta gainbegiratzearen eta garraiolariaren artean berotzea. Hori dela eta, Sic estalitako ogitartekoak normalean silizio karburoa (sic) estalitako grafitoa erabiltzen du substratu gisa.

SICen gogortasun oso altua (2.500 HV inguru), CVD prozesuak metatutako Silicon Carbide-k (SIC) estaldura estaldura trinko eta sendoa izan dezake.

Vetek erdieroalearen sic estalitako ogerrak SIC estalitako grafitoz eginda dago eta ezinbesteko funtsezko osagaia da epitaxia prozesu moderno modernoetan. Grafitoaren eroankortasun termiko bikaina (eroankortasun termikoa giro-tenperaturan) eta indar mekanikoko erresistentzia eta silikonazko karburoaren egonkortasun termiko bikaina da (SIC urtze-puntua 2.730 ºC ingurukoa da), gaur egungo erdieroaleen fabrikazioko ingurunearen eskakizun zorrotzak betetzen ditu.

Wafer bakarreko diseinu titular honek zehaztasunez kontrolatu dezakeProzesu epitaxialaParametroak, kalitate handiko errendimendu handiko erdieroaleen gailuak ekoizten laguntzen duena. Diseinu estruktural paregabeak prozesu osoan zehar zaindu eta zehaztasun gehienekin tratatzen dela ziurtatzen du, eta horrela, geruza epituxialaren kalitate bikaina ziurtatu eta azken erdieroalearen produktuaren errendimendua hobetu da.

Txinaren puntakoa denezSic estalitaWafer titular fabrikatzaileak eta buruzagiak, Vetek erdieroaleak produktu pertsonalizatuak eta zerbitzu teknikoak eman ditzake zure ekipamendu eta prozesuen eskakizunen arabera.Espero dugu Txinan zure epe luzerako bikotea izatea.

CVD SIC Zinema Kristal Egitura

CVD SIC estalduraren oinarrizko propietate fisikoak

Vetek erdieroalearen sic estalitako wafer titular produkzioak: