TaC estalitako grafito oblearen estalkia

Oinarrizko abantaila teknikoak

• Erresistentzia kimiko paregabea: 1200 °C eta 2000 °C arteko tenperaturetan grabatzeko gas gogorrak (H₂, NH₃, HCl) jasateko diseinatua.

• Hedapen termikoaren parekatzea: Gure jabedun CVD prozesuak TaC estaldurak CTE (Hedapen Termikoaren Koefizientea) optimizatu bat duela bermatzen du grafitoko substratuarekin, zirkulazio termiko azkarrean zuritu edo pitzadurak saihestuz.

• Partikulen Kontrol Superior: Grafito porotsua guztiz zigilatzeaz, TaC geruzak partikulen isurketa ezabatzen du, zure obleen etekina zuzenean handituz eta erreaktorearen geldialdi-denbora murriztuz.

• Zerbitzu-bizitza luzatua: Higadura-erresistentzia handiko azalera, garbiketa-ziklo errepikatuak jasaten dituena, Jabetza-Kostua (CoO) nabarmen txikiagoa eskaintzen duena, estali gabeko edo SiC estalitako alternatibekin alderatuta.

Tantalo karburoa (TaC) estaldura zehar-ebaki mikroskopiko batean

TaC Coated Graphite Wafer Cover Eraztunaren produktuaren parametroa

Zergatik aukeratu gure TaC Cover Eraztunak?

Erdieroaleen fabrikazioan fidagarritasuna errentagarritasuna berdina dela ulertzen dugu. Gure TaC estalitako grafito obleen estaldura-eraztunak estaldura-dentsitate eta garbitasunerako lote-probak dira. 6 hazbeteko obleen ekoizpenetik 8 hazbeterako trantsizioa egiten ari zaren ala ez, edo tenperatura altuko MOCVD prozesu bat optimizatzen ari zaren ala ez, gure eraztunek mundu mailako epitaxiarako beharrezkoa den blindaje termiko eta kimikoa eskaintzen dute.