Industria Berriak

Tenperatura handiko erdieroaleen prozesuetan, obleen manipulazio, euskarria eta tratamendu termikoak euskarri bereziko osagai batean oinarritzen dira: obleen itsasontzia. Prozesuaren tenperaturak igotzen diren heinean eta garbitasun eta partikulen kontrol eskakizunak handitzen diren heinean, kuartzozko obleen itsasontzi tradizionalak pixkanaka-pixkanaka arazoak erakusten ditu, hala nola bizitza laburra, deformazio-tasa handiak eta korrosioarekiko erresistentzia eskasa.

Silizio karburoko substratuen industria-eskala ekoizteko, hazkuntza-lan bakar baten arrakasta ez da azken helburua. Benetako erronka lote, tresna eta denbora-tarte ezberdinetan hazitako kristalek kalitatean koherentzia eta errepikakortasun maila altua mantentzen dutela ziurtatzean datza. Testuinguru honetan, tantalio karburoaren (TaC) estalduraren eginkizuna oinarrizko babesa baino haratago doa: funtsezko faktorea bihurtzen da prozesuaren leihoa egonkortzeko eta produktuaren etekina zaintzeko.

Siliziozko karburoa (SiC) PVT hazkundeak ziklo termiko larria dakar (2200 ℃tik gorako giro-tenperatura). Estalduraren eta grafito-substratuaren artean sortzen den tentsio termiko izugarria dilatazio termikoko koefizienteen (CTE) ez-egokitzearen ondorioz estalduraren iraupena eta aplikazioaren fidagarritasuna zehazteko erronka nagusia da.