Industria Berriak

Artikuluak CVD TaC estaldura-prozesuak erdieroaleen prozesatzeko SiC kristal bakarreko hazkuntzarako dituen erronka espezifikoak aztertzen ditu, hala nola, materialaren iturria eta purutasunaren kontrola, prozesu parametroen optimizazioa, estalduraren atxikimendua, ekipoen mantentzea eta prozesuen egonkortasuna, ingurumena babestea eta kostuen kontrola, besteak beste. baita dagozkion industriako irtenbideak ere.

SIC kristalen hazkundearen aplikazioaren ikuspegitik, Tac estalduraren eta SIC estalduraren oinarrizko parametro fisikoak alderatzen ditu eta TAC estalduraren oinarrizko abantailak azaltzen ditu SIC estalduraren gaineko tenperatura altuko erresistentziari, egonkortasun kimiko sendoa, ezpurutasun murriztuak eta ezpurutasun murriztuak eta Kostu txikiagoak.

Neurketa-ekipamendu mota ugari daude fabrika fabrikan. Ekipamendu arruntak litografia prozesuen neurketa ekipamendua, grabaketa prozesua neurtzeko ekipoak, Zinema metalikoen depositazio prozesua neurtzeko ekipoak, doping prozesua neurtzeko ekipamendua, CMP prozesua neurtzeko ekipoak, waffer partikulak hautemateko ekipoak eta neurketa ekipamenduak ditu.

Tantalum Carbide (TAC) estaldurak grafitoen bizitza nabarmen luzatu dezake tenperatura altuko erresistentzia, korrosioarekiko erresistentzia, propietate mekanikoak eta kudeaketa termikoko gaitasunak hobetuz. Garbitasun handiko ezaugarriak garbitasun kutsadura murrizten dute, kristalen hazkuntzaren kalitatea hobetzen dute eta energia eraginkortasuna hobetzen dute. Tenperatura handiko eta kristal hazkuntzarako aplikazioetarako egokia da tenperatura handiko ingurune oso korrosiboan.