Berriak

Berriak

Pozten gara zurekin partekatzea gure lanaren emaitzak, konpainiaren albisteak, eta garapen puntualak eta langileak izendatzeko eta kentzeko baldintzak ematen dizkizugu.
SiC estaldura ertzaren horia konpontzea CVD errendimendua %50etik %90era areagotzeko05 2026-08

SiC estaldura ertzaren horia konpontzea CVD errendimendua %50etik %90era areagotzeko

MOCVD epitaxia grafito suszeptoreetan silizio-karburoaren estalduraren ertzak horiztzearen eta zuritzearen arrazoien azterketa sakona. VeTek-ek mikro-estresa ezabatu zuen CVD hasierako deposizio-tasa eta fluxu-eremua zehatz-mehatz kontrolatuz, estaldura-etekina % 50etik % 90era handituz eta purutasun handiko grafito piezen zerbitzu-bizitza luzatuz.
Nola konpondu poltsikotik poltsikoko aldakuntza handia poltsiko anitzeko silizio epitaxia grafito suszeptoreetan?03 2026-08

Nola konpondu poltsikotik poltsikoko aldakuntza handia poltsiko anitzeko silizio epitaxia grafito suszeptoreetan?

Poltsiko anitzeko silizio epitaxia grafito suszeptoreetan %1,4ko poltsikotik poltsikoko lodieraren aldakuntzari aurre eginez, VeTek Semi-k suszeptoreen lautasuna <0,08 mm-ra hobetu du eta aldakuntza % 0,69ra murriztu du CVD fluxuaren eremuaren simulazioaren eta SiC estaldura ultra-zehaztasunez, obleen errendimendua areagotuz.
MOCVD SiC estalitako grafito susceptor pitzaduraren analisia eta estres termikoaren optimizazioa kasuaren azterketa30 2026-07

MOCVD SiC estalitako grafito susceptor pitzaduraren analisia eta estres termikoaren optimizazioa kasuaren azterketa

Ikasi Vetek-ek nola ezabatu zuen pitzadura erradiala tamaina handiko MOCVD SiC estalitako grafito suszeptoreetan. Egiturazko tentsio-bufferren birdiseinua eta CTE bat etortzeak zerbitzu-bizitza % 300+ handitu zuen.
4 hazbetetik 8 hazbetera: SiC erdieroaleen hazkundearen hamarkada25 2026-07

4 hazbetetik 8 hazbetera: SiC erdieroaleen hazkundearen hamarkada

Hamarkada bat SiC bilakaera - 4 hazbeteko komertzializazio erronketatik gaur egungo 8 hazbeteko obleen trantsiziora. Ezagutu CVD SiC estaldurek, Solid SiC eta TaC materialek erdieroaleen fabrikazio fidagarria nola ahalbidetzen duten.
Zergatik SiC estalitako grafito susceptor ezinbestekoak dira erdieroaleen epitaxirako17 2026-07

Zergatik SiC estalitako grafito susceptor ezinbestekoak dira erdieroaleen epitaxirako

Ikasi CVD SiC estalitako grafito suszeptoreek nola hobetzen duten hazkunde epitaxiala, uniformetasun termikoa hobetuz, kutsadura murriztuz eta osagaien bizitza luzatuz SiC, GaN, LED eta silizio erdieroaleen fabrikazioan.
Zergatik TaC estalitako grafito-berogailuak GaN MOCVD epitaxiaren etorkizun gisa sortzen ari dira10 2026-07

Zergatik TaC estalitako grafito-berogailuak GaN MOCVD epitaxiaren etorkizun gisa sortzen ari dira

Ezagutu nola TaC estalitako grafitozko berogailuek tenperatura-uniformitatea hobetzen duten, energia-kontsumoa murrizten eta bizitza luzatzen dute GaN MOCVD epitaxian pBN estalitako berogailu konbentzionalekin alderatuta.
TaC estaldurak nola hobetzen duen SiC kristalaren hazkundea PVT aplikazioetan03 2026-07

TaC estaldurak nola hobetzen duen SiC kristalaren hazkundea PVT aplikazioetan

Ezagutu CVD TaC estaldurak nola hobetzen duen SiC kristalaren hazkuntza PVT labeetan karbono kutsadura murrizten baitu, grafitoaren osagaiak babestuz, zerbitzu-bizitza luzatuz eta erdieroaleen fabrikazio aurreratuko kristalen kalitatea hobetuz.
Zergatik bihurtzen ari den TaC estaldura grafito erdieroaleen osagaien aukera hobetsiena26 2026-06

Zergatik bihurtzen ari den TaC estaldura grafito erdieroaleen osagaien aukera hobetsiena

Ezagutu zergatik bihurtzen ari den CVD TaC estaldura grafito erdieroaleen osagaien babes-irtenbide hobetsia. Ikasi bere abantailak, aplikazioak SiC kristalen hazkuntzan, GaN MOCVD eta obleen eramaileetan, eta nola hobetzen duen iraunkortasuna, purutasuna eta prozesuen egonkortasuna.
Karbono pirolitikoa (PyC) estalitako grafito eraztunak: fidagarritasuna hobetzea tenperatura altuko erdieroaleen fabrikazioan17 2026-06

Karbono pirolitikoa (PyC) estalitako grafito eraztunak: fidagarritasuna hobetzea tenperatura altuko erdieroaleen fabrikazioan

Ikasi nola VETEK Pyrolytic Carbon (PyC) estalitako grafitozko eraztunek egonkortasun termikoa hobetzen duten, kutsadura murrizten eta osagaien bizitza luzatzen dute SiC kristalen hazkuntza, epitaxia, CVD eta tenperatura altuko erdieroale prozesuetan.
Zergatik ari da CVD TaC estaltzen hirugarren belaunaldiko erdieroalean 21 2026-05

Zergatik ari da CVD TaC estaltzen hirugarren belaunaldiko erdieroalean "tenperatura altuko armadura"?

Ezagutu CVD TaC estaldurak SiC kristalen hazkundea eta erdieroaleen fabrikazioa nola hobetzen duen egonkortasun termiko oso altuarekin, korrosioarekiko erresistentziarekin, ezpurutasunen kentzearekin eta MOCVD eta epitaxia aplikazioetan errendimendu bikainarekin.
Aixtron G10 osagaiak: Errendimendu handiko SiC epitaxiarako funtsezko piezak16 2026-05

Aixtron G10 osagaiak: Errendimendu handiko SiC epitaxiarako funtsezko piezak

Begiratu gako Aixtron G10 osagaiei tenperatura altuko SiC epitaxia sistemetarako. CVD SiC estalitako grafito-piezak, TaC estaldura-osagaiak eta eremu termikoen egiturak estaltzen ditugu, eta nola laguntzen duten prozesuen egonkortasuna, purutasun-kontrola eta obleen errendimendua erdieroaleen fabrikazio aurreratuan.
Zer da ilargi erdi bat LPE erreakzio-ganbera batean?09 2026-05

Zer da ilargi erdi bat LPE erreakzio-ganbera batean?

Ikasi zer den Halfmoon osagai bat LPE erreakzio-ganbera batean eta nola onartzen dituen egonkortasun termikoa, gas-fluxuaren kudeaketa eta erreaktoreen egitura SiC epitaxi sistemetan. Arakatu grafitozko materialak, CVD SiC estaldura, TaC estaldura eta erdieroaleen erreaktoreen teknologia modernoak.
MicroLED errendimendua optimizatzea SiC substratuekin eta estaldura aurreratuekin25 2026-04

MicroLED errendimendua optimizatzea SiC substratuekin eta estaldura aurreratuekin

MicroLED etekin-tasekin borrokan? Ezagutu zergatik aldatzen ari diren industriako liderrak SiC substratuetara eta TaC estalitako MOCVD osagaietara estres termikoa eta partikulen kutsadura konpontzeko. Ikasi CVD SiC-ren abantaila teknikoa hurrengo belaunaldiko GaN pantailetarako
CVD SiC estaldura: prozesua, abantailak eta aplikazioak24 2026-04

CVD SiC estaldura: prozesua, abantailak eta aplikazioak

Arakatu CVD SiC estaldura erdieroaleen prozesuetan nola erabiltzen den, bere egitura, errendimendu-ezaugarriak eta aplikazio tipikoak barne, tenperatura altuko aplikazioetan duen garrantziarekin batera.
Fab errendimendua maximizatzea: zergatik CVD Solid SiC da ganbera kritikoen piezen azken aukera18 2026-04

Fab errendimendua maximizatzea: zergatik CVD Solid SiC da ganbera kritikoen piezen azken aukera

CVD Solid SiC merezi du inbertsioak? Konparatu SiC monolitikoen ROI-a grafitozko estaldura tradizionalen aurrean. Ikasi plasma-erresistentzia handiagoa eta MTBC hedatua 12 hazbeteko HVM lineetarako obleen hondarraren tasa txikiagoak eta ekipamendu-denbora handiagoa nola lortzen duten.
CVD-SiC-ren bilakaera film meheko estalduretatik ontziratu gabeko materialetara10 2026-04

CVD-SiC-ren bilakaera film meheko estalduretatik ontziratu gabeko materialetara

Garbitasun handiko materialak ezinbestekoak dira erdieroaleen fabrikaziorako. Prozesu hauek muturreko beroa eta produktu kimiko korrosiboak izaten dituzte. CVD-SiC (Lurrun Kimikoen Deposizio Silizio Karburoa) beharrezko egonkortasuna eta indarra ematen du. Gaur egun, ekipamendu aurreratuen piezen aukera nagusia da bere garbitasun eta dentsitate handiagatik.
X
Cookieak erabiltzen ditugu nabigazio esperientzia hobea eskaintzeko, guneko trafikoa aztertzeko eta edukia pertsonalizatzeko. Gune hau erabiltzean, gure cookieen erabilera onartzen duzu. Pribatutasun politika
BaztertuOnartu