Berriak

Tenperatura handiko erdieroaleen prozesuetan, obleen manipulazio, euskarria eta tratamendu termikoak euskarri bereziko osagai batean oinarritzen dira: obleen itsasontzia. Prozesuaren tenperaturak igotzen diren heinean eta garbitasun eta partikulen kontrol eskakizunak handitzen diren heinean, kuartzozko obleen itsasontzi tradizionalak pixkanaka-pixkanaka arazoak erakusten ditu, hala nola bizitza laburra, deformazio-tasa handiak eta korrosioarekiko erresistentzia eskasa.

Silizio karburoko substratuen industria-eskala ekoizteko, hazkuntza-lan bakar baten arrakasta ez da azken helburua. Benetako erronka lote, tresna eta denbora-tarte ezberdinetan hazitako kristalek kalitatean koherentzia eta errepikakortasun maila altua mantentzen dutela ziurtatzean datza. Testuinguru honetan, tantalio karburoaren (TaC) estalduraren eginkizuna oinarrizko babesa baino haratago doa: funtsezko faktorea bihurtzen da prozesuaren leihoa egonkortzeko eta produktuaren etekina zaintzeko.

Siliziozko karburoa (SiC) PVT hazkundeak ziklo termiko larria dakar (2200 ℃tik gorako giro-tenperatura). Estalduraren eta grafito-substratuaren artean sortzen den tentsio termiko izugarria dilatazio termikoko koefizienteen (CTE) ez-egokitzearen ondorioz estalduraren iraupena eta aplikazioaren fidagarritasuna zehazteko erronka nagusia da.

Silizio karburoa (SiC) PVT kristalen hazkuntza-prozesuan, eremu termikoaren egonkortasunak eta uniformetasunak zuzenean zehazten dute kristalen hazkunde-tasa, akatsen dentsitatea eta materialaren uniformetasuna. Sistemaren muga gisa, eremu termikoko osagaiek gainazaleko propietate termofisikoak erakusten dituzte eta horien gorabehera txikiak nabarmen anplifikatzen dira tenperatura altuko baldintzetan, azken finean, hazkunde-interfazean ezegonkortasuna eragiten dutenak.

Silizio-karburoaren (SiC) kristalak hazteko prozesuan, Lurrun Garraio Fisikoaren (PVT) metodoaren bidez, 2000-2500 °C-ko muturreko tenperatura altua "aho biko ezpata" bat da - iturri materialen sublimazioa eta garraioa bultzatzen dituen bitartean, izugarri areagotzen du material guztien ezpurutasun-askapena, batez ere eremu metaliko-termikoko sistema konbentzionalean dauden elementu termiko-eremu konbentzionaletan barne. osagaiak. Ezpurutasun horiek hazkuntza-interfazean sartzen direnean, kristalaren oinarrizko kalitatea zuzenean kaltetuko dute. Hau da tantalio karburoa (TaC) estaldurak PVT kristalen hazkuntzarako "aukerazko aukera" baino "derrigorrezko aukera" bihurtu izanaren oinarrizko arrazoia.

Veteksemicon-en erronka horiei aurre egiten diegu egunero, aluminio oxidozko zeramika aurreratuak zehaztapen zehatzak betetzen dituzten soluzioetan eraldatzen espezializatuta. Mekanizazio- eta prozesatzeko metodo egokiak ulertzea funtsezkoa da, ikuspegi okerrak hondakin garestiak eta osagaien porrota ekar ditzakeelako. Azter ditzagun hori posible egiten duten teknika profesionalak.